浙江赛晶电子有限公司虞旭俊获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江赛晶电子有限公司申请的专利一种可吸附硅片的通孔掩膜版和通孔掩膜版曝光装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223796819U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520024829.9，技术领域涉及：G03F1/00；该实用新型一种可吸附硅片的通孔掩膜版和通孔掩膜版曝光装置是由虞旭俊;刘家伟;彭伟锦;贺鸿浩;辛和彬;梁永桂设计研发完成，并于2025-01-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种可吸附硅片的通孔掩膜版和通孔掩膜版曝光装置在说明书摘要公布了：本实用新型涉及一种可吸附硅片的通孔掩膜版和通孔掩膜版曝光装置，解决半导体硅片双面图形对称光刻中存在的位移偏差和精度不足的问题。本装置的通孔掩膜版包括基板，所述基板设置有遮光膜图形，所述基板在遮光膜图形间隙或外侧的区域开设有通孔，所述通孔贯通基板两侧。曝光装置包括上真空吸附盘和下真空吸附盘，上真空吸附盘和下真空吸附盘之间从上到下依次设置上掩膜版、硅片、下掩膜版，下掩膜版为通孔掩膜版，所述下真空吸附盘与下掩膜版的通孔区域对应设置有真空吸附腔，真空吸附腔一侧连接吸附管口。本实用新型使硅片在曝光前后都能稳定置于下掩膜版的固定位置上，提高自动或手动对位的效率，更提高了光刻的稳定性。
本实用新型一种可吸附硅片的通孔掩膜版和通孔掩膜版曝光装置在权利要求书中公布了：1.一种可吸附硅片的通孔掩膜版，包括基板，所述基板设置有遮光膜图形，其特征在于：所述基板在遮光膜图形间隙或外侧的区域开设有通孔，所述通孔贯通基板两侧；所述基板材质为石英玻璃或树脂。
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