浙江创芯集成电路有限公司吴昊获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江创芯集成电路有限公司申请的专利一种离子注入机及半导体制造设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223797333U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423119801.8，技术领域涉及：H01J37/317；该实用新型一种离子注入机及半导体制造设备是由吴昊;沈志超;周光亮;李志鹏设计研发完成，并于2024-12-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种离子注入机及半导体制造设备在说明书摘要公布了：本申请实施例提供了一种离子注入机及半导体制造设备，所述离子注入机的机台划分为第一功能区域和第二功能区域，第一功能区域和第二功能区域竖直分层布局，并且第一功能区域位于下层，第二功能区域位于上层；第二功能区域的洁净度高于第一功能区域；所述第一功能区域设置有：产生离子的离子源；对离子源产生的离子进行筛选形成离子束，并将离子束向上传输至第二功能区域的束流筛选区；所述第二功能区域设置有：接收所述束流筛选区传输的离子束，对待注入材料进行离子注入的工艺腔。本申请实施例提供的离子注入机可以降低颗粒污染风险，提高产品的良率。
本实用新型一种离子注入机及半导体制造设备在权利要求书中公布了：1.一种离子注入机，其特征在于，所述离子注入机的机台划分为第一功能区域和第二功能区域，所述第一功能区域和第二功能区域竖直分层布局，并且所述第一功能区域位于下层，所述第二功能区域位于上层；所述第二功能区域的洁净度高于所述第一功能区域； 所述第一功能区域设置有： 产生离子的离子源； 对所述离子源产生的离子进行筛选形成离子束，并将离子束向上传输至第二功能区域的束流筛选区； 所述第二功能区域设置有： 接收所述束流筛选区传输的离子束，对待注入材料进行离子注入的工艺腔。
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