台湾积体电路制造股份有限公司邓运桢获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223798575U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202520036106.0,技术领域涉及:H10D30/62;该实用新型半导体装置是由邓运桢;薛森鸿;徐志安设计研发完成,并于2025-01-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了:提供半导体装置,包括凸起半导体区、隔离结构、硬罩幕层及介电层。凸起半导体区与凹陷半导体区相邻,隔离结构位于凹陷半导体区上方;硬罩幕层位于隔离结构上方,介电层位于硬罩幕层上方。
本实用新型半导体装置在权利要求书中公布了:1.一种半导体装置,其特征在于,包括: 一凸起半导体区,与一凹陷半导体区相邻; 一隔离结构,位于该凹陷半导体区上方; 一硬罩幕层,位于该隔离结构上方;及 一介电层,位于该硬罩幕层上方。
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