思特威(深圳)电子科技有限公司冯子健获国家专利权
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龙图腾网获悉思特威(深圳)电子科技有限公司申请的专利图像传感器、电子设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223798587U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422916081.1，技术领域涉及：H10F39/18；该实用新型图像传感器、电子设备是由冯子健;王文轩;张津铭设计研发完成，并于2024-11-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本图像传感器、电子设备在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种图像传感器、电子设备，图像传感器包括：半导体基底，半导体基底包括第一掺杂类型的器件功能层；半导体器件，位于所述器件功能层中，半导体器件包括具有与所述第一掺杂类型不同的第二掺杂类型的光电转换掺杂区；第一沟槽，设置于器件功能层中，周侧包括传输调制区；所述传输调制区至少包括邻接的第一掺杂类型的第一区域和第二区域，所述第二区域靠近所述第一面且所述第一区域的掺杂浓度大于所述第二区域。基于本申请的设计，在第一沟槽的周侧形成掺杂类型相同且掺杂浓度不同的至少两个不同的区域，对沟槽侧壁及底部具有保护作用的同时可以有效的调整电子的传输。
本实用新型图像传感器、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种图像传感器，其特征在于，所述图像传感器包括： 半导体基底，所述半导体基底包括第一掺杂类型的器件功能层； 半导体器件，位于所述器件功能层中，所述半导体器件包括具有与所述第一掺杂类型不同的第二掺杂类型的光电转换掺杂区； 第一沟槽，设置于所述器件功能层中，周侧包括传输调制区；其中： 所述传输调制区至少包括邻接的第一掺杂类型的第一区域和第二区域，所述半导体基底具有相对的第一面和第二面，所述第一沟槽自所述第一面延伸至所述半导体基底中，所述第二区域靠近所述第一面且所述第一区域的掺杂浓度大于所述第二区域。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人思特威(深圳)电子科技有限公司，其通讯地址为：518000 广东省深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDB2801, 2804, 2805, 2806；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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