中广核京师光电科技(天津)有限公司刘宇霄获国家专利权
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龙图腾网获悉中广核京师光电科技(天津)有限公司申请的专利一种光电探测芯片的封装结构获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223798601U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202520199690.1,技术领域涉及:H10F77/50;该实用新型一种光电探测芯片的封装结构是由刘宇霄;王飞;苏刚设计研发完成,并于2025-02-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种光电探测芯片的封装结构在说明书摘要公布了:本实用新型提供一种光电探测芯片的封装结构,所述封装结构包括封装基板、光电探测芯片和封装绝缘体;其中,光电探测芯片被贴装至封装基板的预定封装区域内,并且光电探测芯片的正面靠近第二导电焊盘一侧的正面电极上形成有化学性质稳定的凸点电极;所述凸点电极用于通过第二导电连接体连接第二导电焊盘;封装绝缘体至少封装在第二导电连接体与光电探测芯片的侧壁之间以及第二导电连接体与光电探测芯片的非有源区之间,以使光电探测芯片与第二导电连接体之间绝缘。本实用新型能够在保证封装引入的死区面积较小的基础上,保证芯片探测特性正常。
本实用新型一种光电探测芯片的封装结构在权利要求书中公布了:1.一种光电探测芯片的封装结构,其特征在于,包括封装基板、光电探测芯片和封装绝缘体; 所述封装基板的正面设置有第一导电焊盘和第二导电焊盘,背面设置有第一电极和第二电极,所述第一导电焊盘和第一电极通过第一导电键合结构连接,所述第二导电焊盘和第二电极通过第二导电键合结构连接; 所述光电探测芯片的背面设置有背面电极,所述背面电极通过第一导电连接体连接相对设置的所述第一导电焊盘,以使所述光电探测芯片被贴装至封装基板的预定封装区域内并裸露所述第二导电焊盘; 所述光电探测芯片的正面靠近所述第二导电焊盘的一侧及对侧的非有源区上分别设置有正面电极,并且靠近第二导电焊盘一侧的正面电极上形成有化学性质稳定的凸点电极;所述凸点电极用于通过第二导电连接体连接所述第二导电焊盘; 所述封装绝缘体设置在封装基板正面,至少封装在所述第二导电连接体与光电探测芯片的侧壁之间以及第二导电连接体与光电探测芯片的非有源区之间,以使所述光电探测芯片与所述第二导电连接体之间绝缘。
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