英特尔公司H·I·金获国家专利权
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龙图腾网获悉英特尔公司申请的专利具有集成无源电子器件的封装上封装方法和设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN109585311B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201810995498.8，技术领域涉及：H10W74/01；该发明授权具有集成无源电子器件的封装上封装方法和设备是由H·I·金设计研发完成，并于2018-08-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有集成无源电子器件的封装上封装方法和设备在说明书摘要公布了：本申请涉及用于封装上封装式多封装集成电路的装置和技术。集成电路的部件可以位于形成于多封装集成电路的电路封装中的孔隙中。所述孔隙可以是通过制作具有对应于所述部件的内部孔隙的孔隙结构而形成的。所述孔隙结构可以被接合至所述多封装集成电路中的第一封装的第一衬底。所述第一衬底和所述孔隙结构可以被包封在模制化合物中。可以去除牺牲层，从而暴露所述孔隙结构中的孔隙。所述部件可以是例如穿通模具通孔。所述第一封装可以被耦合至第二封装。根据文中的公开内容制作的多封装集成电路组件可以包括更高密度的电子部件，包括无源电子部件。
本发明授权具有集成无源电子器件的封装上封装方法和设备在权利要求书中公布了：1.一种制作多封装集成电路的方法，包括： 制备包括孔隙的孔隙结构，其中，所述孔隙的尺寸被设定为容纳无源电部件； 制备底部电路封装，所述底部电路封装包括底部电路封装衬底并且包括处于所述底部电路封装的管芯侧层中的第一集成电路和所述孔隙结构； 从所述底部电路封装的所述管芯侧层进行减薄，以暴露所述孔隙结构中的所述孔隙； 制备顶部电路封装，其包括顶部电路封装衬底和处于所述顶部电路封装衬底的管芯侧层中的第二集成电路； 将所述无源电部件放置或者形成到所述孔隙中； 将所述无源电部件电耦合至所述顶部电路封装衬底的与所述顶部电路封装衬底的所述管芯侧层相对的界面侧；以及 将所述顶部电路封装衬底安装至具有处于所述孔隙中的所述无源电部件的所述底部电路封装衬底； 其中，所述孔隙是被模制到所述底部电路封装中的孔隙结构的中空内核，并且其中，所述孔隙结构是由所述底部电路封装的材料制成的。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人英特尔公司，其通讯地址为：美国加利福尼亚；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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