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龙图腾网获悉北京航空航天大学申请的专利一种高口径利用率超大型静区的紧缩场装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113311400B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110634435.1，技术领域涉及：G01S7/40；该发明授权一种高口径利用率超大型静区的紧缩场装置是由李志平;何国瑜;武建华;王正鹏设计研发完成，并于2021-06-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高口径利用率超大型静区的紧缩场装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高口径利用率超大型静区的紧缩场装置，包括紧缩场反射面、馈源以及平面波静区；所述的馈源为紧缩场装置的电磁波辐射源；采用对角馈布局，紧缩场反射面的顶点在口径对角线接近的位置，馈源相心与反射面焦点共点位于反射面的虚旋转对称轴上；所述的紧缩场反射面为二次曲面结构，中心实体为旋转抛物面部分，用于将馈源辐射的球面波在静区内校正为平面波；所述的平面波静区为馈源辐射的电磁波经反射面校正后满足远场测试要求的有限立体空间区域。

本发明授权一种高口径利用率超大型静区的紧缩场装置在权利要求书中公布了：1.一种高口径利用率超大型静区的紧缩场装置，其特征在于：包括紧缩场反射面、馈源以及平面波静区；所述的馈源为紧缩场装置的电磁波辐射源；采用对角馈布局，紧缩场反射面的顶点在口径对角线接近的位置，馈源相心与反射面焦点共点位于反射面的虚旋转对称轴上； 所述的紧缩场反射面为二次曲面结构，中心实体为旋转抛物面部分，用于将馈源辐射的球面波在静区内校正为平面波； 所述的平面波静区为馈源辐射的电磁波经反射面校正后满足远场测试要求的有限立体空间区域； 所述的高口径利用率超大型静区的紧缩场装置采用对角馈布局，在同等焦距约束下，反射面对馈源的立体张角减小，故而馈源波束对反射面照射更加均匀，有利于减小静区幅度锥削； 紧缩场反射面的虚顶点在不增加反射面直接回波和馈源遮挡静区波束的前提下能够进行一预定小量偏移偏移，所述预定小量是指偏移量小于反射面尺度的10%，有利于降低反射面背架的刚度要求，降低偏馈量而引入的交叉极化以及降低被测目标的架设高度； 所述的高口径利用率超大型静区紧缩场装置的边缘，采用优化的锯齿边缘，控制边缘绕射对静区的影响，有利于在进一步提升口径利用率，并保证接近低频下限时的静区性能。

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