买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉南京昂纳芯电子有限公司申请的专利一种电荷泵输出节点放电电路及实现方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113328623B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110676675.8，技术领域涉及：H02M3/07；该发明授权一种电荷泵输出节点放电电路及实现方法是由只生武;聂雨巳;刘士荣设计研发完成，并于2021-06-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种电荷泵输出节点放电电路及实现方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种电荷泵输出节点放电电路及实现方法，属于集成电路技术领域，包括与电荷泵输出高压节点连接的第一NMOS管、与第一NMOS管相连接的第二NMOS管、与第二NMOS管相连接的第一PMOS管、与第一PMOS管相连接并控制第一NMOS管栅电压的第三NMOS管；所述第三NMOS管参数决定第一NMOS管栅最高电压，其中，所述第三NMOS管栅极和漏极相连接，并与电阻和电容的一端相连接，所述第一NMOS管、第二NMOS管、电阻和电容的器件参数决定放电速度和第一NMOS管、第二NMOS管放电时漏源间、栅漏间、栅源间承受的最大压差，该电荷泵输出节点放电电路，结构简单、生产成本低。

本发明授权一种电荷泵输出节点放电电路及实现方法在权利要求书中公布了：1.一种电荷泵输出节点放电电路，其特征在于：包括与电荷泵输出高压节点VCP连接的第一NMOS管M1、与第一NMOS管M1相连接的第二NMOS管M2、与第二NMOS管M2相连接的第一PMOS管M4、与第一PMOS管M4相连接并控制第一NMOS管M1栅电压的第三NMOS管M3； 其中，所述第三NMOS管M3与电阻R1和电容C1相连接；所述第一NMOS管M1源极与衬底端连接，并与第二NMOS管M2漏极和第一PMOS管M4漏极相连接，且所述第一NMOS管M1漏极与电荷泵输出高压节点VCP连接；所述第一NMOS管M1栅极与第三NMOS管M3栅极和漏极相连接，并与电容C1上极板和电阻R1一端相连接后形成第一节点VG,所述电阻R1另一端与系统电源电压VCC相连接；所述第二NMOS管M2栅极与第一PMOS管M4栅极和电容C1下极板相连接再与控制信号VCK相连接；所述第二NMOS管M2源极与衬底端和系统电源地GND连接；所述第一PMOS管M4源极与衬底端连接，并与第三NMOS管M3源极相连接,所述第三NMOS管M3源极与衬底端以及系统电源电压VCC相连接。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人南京昂纳芯电子有限公司，其通讯地址为：211806 江苏省南京市浦口区双峰路69号B座704室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。