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龙图腾网获悉株式会社迪思科申请的专利晶片的加工方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113451117B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110306965.3，技术领域涉及：H10P34/42；该发明授权晶片的加工方法是由谭思博设计研发完成，并于2021-03-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本晶片的加工方法在说明书摘要公布了：本发明提供晶片的加工方法，防止与晶片的外周剩余区域相邻的器件的损伤。该方法包含如下工序：保护部件配设工序，将保护部件14配设于晶片的正面2a；环状改质层形成工序，沿着外周剩余区域形成第一环状改质层24和第二环状改质层26；分割预定线改质层形成工序，沿着分割预定线形成分割预定线改质层28；和分割工序，对晶片的背面2b进行磨削而将晶片形成为规定的厚度，通过从分割预定线改质层沿分割预定线延伸的裂纹28′将晶片分割成各个器件芯片。在分割预定线改质层形成工序中，按照分割预定线改质层的始点28a和终点28b位于第一、第二环状改质层之间的方式定位激光光线的聚光点。

本发明授权晶片的加工方法在权利要求书中公布了：1.一种晶片的加工方法，将晶片分割成各个器件芯片，该晶片在正面上具有由交叉的多条分割预定线划分而形成有多个器件的器件区域和围绕该器件区域的外周剩余区域，其中， 该晶片的加工方法包含如下的工序： 保护部件配设工序，将保护部件配设在该晶片的正面上； 环状改质层形成工序，将对于该晶片具有透过性的波长的激光光线的聚光点从该晶片的背面定位于该晶片的与该外周剩余区域对应的内部而向该晶片照射激光光线，沿着该外周剩余区域形成第一环状改质层和围绕该第一环状改质层的第二环状改质层； 分割预定线改质层形成工序，将对于该晶片具有透过性的波长的激光光线的聚光点从该晶片的背面定位于该晶片的与该分割预定线对应的内部而向该晶片照射激光光线，沿着该分割预定线形成分割预定线改质层；以及 分割工序，对该晶片的背面进行磨削而将该晶片形成为规定的厚度，并且通过从该分割预定线改质层沿该分割预定线延伸的裂纹将该晶片分割成各个器件芯片， 在该分割预定线改质层形成工序中，按照沿着该分割预定线形成的该分割预定线改质层的始点和终点位于该第一环状改质层与该第二环状改质层之间的方式定位激光光线的聚光点，由该第一环状改质层和该第二环状改质层阻断分别从该分割预定线改质层的始点和终点延伸的裂纹。

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