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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113451265B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110325155.2，技术领域涉及：H10W20/43；该发明授权半导体装置是由崔慜贞;韩正勳;金知浩;边永镛;李瑌真;张志熏设计研发完成，并于2021-03-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置在说明书摘要公布了：公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括：基底，包括芯片区域和边缘区域；集成电路元件，位于芯片区域上；层间绝缘层，覆盖集成电路元件；互连结构，位于层间绝缘层上并且具有位于边缘区域上的侧表面；第一导电图案和第二导电图案，位于互连结构上，第一导电图案和第二导电图案电连接到互连结构；第一钝化层，覆盖第一导电图案和第二导电图案以及互连结构的侧表面；以及第二钝化层，位于第一钝化层上，其中，第二钝化层包括不同于第一钝化层的绝缘材料，并且在第一导电图案与第二导电图案之间，第二钝化层具有定位在比第一导电图案的顶表面的竖直水平低的竖直水平处的底表面。

本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，所述半导体装置包括： 基底，包括芯片区域和在芯片区域周围的边缘区域； 集成电路元件，位于芯片区域上； 层间绝缘层，覆盖集成电路元件； 互连结构，具有位于层间绝缘层上的内部互连线，互连结构具有位于边缘区域上的侧表面； 第一导电图案和第二导电图案，位于互连结构上，第一导电图案和第二导电图案电连接到内部互连线； 第一钝化层，覆盖第一导电图案和第二导电图案以及互连结构的侧表面；以及 第二钝化层，位于第一钝化层上， 其中： 第二钝化层包括第二绝缘材料，第一钝化层包括第一绝缘材料，并且第二钝化层的第二绝缘材料不同于第一钝化层的第一绝缘材料， 在第一导电图案与第二导电图案之间的区域中，第二钝化层具有定位在比第一导电图案的顶表面的竖直水平低的竖直水平处的底表面， 第一钝化层的在第一导电图案和第二导电图案中的每个的侧表面上的部分比第一钝化层的其余部分薄，在第一导电图案与第二导电图案之间的区域中，第一钝化层的厚度比第二钝化层的厚度小，并且在第一导电图案和第二导电图案中的每个的顶表面上的区域中，第一钝化层的厚度比第二钝化层的厚度大，并且 第一钝化层和第二钝化层中的每个具有暴露第一导电图案的顶表面的一部分的开口，第一导电图案是其顶表面被所述开口部分地暴露的垫部，第二导电图案是与所述垫部定位在同一竖直水平处的互连线，并且第二导电图案被第一钝化层和第二钝化层中的每个完全覆盖。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道水原市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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