索尼半导体解决方案公司新田阳介获国家专利权
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龙图腾网获悉索尼半导体解决方案公司申请的专利半导体装置和固态摄像元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113454765B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080013353.9，技术领域涉及：H10P14/40；该发明授权半导体装置和固态摄像元件是由新田阳介设计研发完成，并于2020-01-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置和固态摄像元件在说明书摘要公布了：根据本公开的半导体装置50包括：第一基板20，其被构造为被单片化并且具有包括第一端子25的第一半导体电路LOG；和第二基板10，其被构造为具有包括第二端子16的第二半导体电路PIX，其中，所述第一端子25和所述第二端子16接合。所述第二基板10包括：第一绝缘层13，其布置在所述第二基板10的上方；和第二绝缘层14，其布置在所述第一绝缘层13的至少一部分上方并且在所述第二绝缘层14中布置有所述第二端子16。
本发明授权半导体装置和固态摄像元件在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其具有： 第一基板，其被构造为被单片化，并且具有包括第一端子的第一半导体电路；和 第二基板，其被构造为具有包括第二端子的第二半导体电路，其中， 所述第一端子和所述第二端子接合，并且 所述第二基板具有： 第一绝缘层，其布置在所述第二基板的上方；和 第二绝缘层，其至少部分地布置在所述第一绝缘层的上方，并且所述第二端子布置在所述第二绝缘层中， 其中，所述第二端子被所述第一绝缘层覆盖。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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