台湾积体电路制造股份有限公司郑心圃获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利芯片封装及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113782455B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111060983.4，技术领域涉及：H10W74/01；该发明授权芯片封装及其形成方法是由郑心圃;蔡柏豪;庄博尧;翁得期设计研发完成，并于2018-07-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本芯片封装及其形成方法在说明书摘要公布了：提供芯片封装的结构及其形成方法。此方法包含：设置半导体晶粒于载体基板之上。此方法也包含设置中介层基板于此载体基板之上。此中介层基板具有凹槽，此凹槽穿过该中介层基板的相反面。此中介层基板具有围绕半导体晶粒的内部侧壁，并且此半导体晶粒等高于或高于此中介层基板。此方法还包含在中介层基板的凹槽中形成保护层，以围绕半导体晶粒。另外，此方法包含移除载体基板以及堆叠封装结构于该中介层基板之上。
本发明授权芯片封装及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种芯片封装的形成方法，包括： 形成一互连结构于一载体基板之上； 设置一半导体晶粒于该载体基板之上； 形成一阻隔元件于该互连结构之上，並围绕该半导体晶粒； 形成一底胶层于该半导体晶粒与该互连结构之间，其中该阻隔元件围绕该底胶层； 设置一中介层基板于该载体基板之上，其中该中介层基板具有一基座部分、一导电部件、一钝化层、以及一凹槽，该凹槽穿过该中介层基板的相反面，该凹槽曝露该阻隔元件，该中介层基板具有围绕该半导体晶粒的内部侧壁，并且该半导体晶粒等高于或高于该中介层基板，该钝化层形成于该基座部分上並具有一开口，该开口曝露出该导电部件，该导电部件穿过该基座部分的相反面； 在该中介层基板的该凹槽中形成一保护层，以围绕该半导体晶粒，並覆盖该半导体晶粒、该中介层基板、以及该阻隔元件； 薄化该保护层以曝露出该导电部件以及该钝化层； 移除该载体基板； 堆叠一封装结构于该中介层基板之上；以及 形成一粘合层于该半导体晶粒以及该封装结构之间，其中在该粘合层的法线方向上，该封装结构比该粘合层宽。
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