索尼半导体解决方案公司藤井宣年获国家专利权
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龙图腾网获悉索尼半导体解决方案公司申请的专利半导体装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113841245B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080036161.X，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权半导体装置及其制造方法是由藤井宣年;瀬岛幸一;嵯峨幸一郎;三宅慎一设计研发完成，并于2020-06-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及其制造方法在说明书摘要公布了：提供一种能够减小用于电连接上基板和下基板的导电路径的电阻值的半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括：第一半导体层，其包括经由元件分离区彼此相邻设置的多个元件形成区，多个元件形成区分别设置有第一有源元件；接触区域，其分别设置在多个元件形成区各者的表面的元件分离区侧；导电焊盘，其连接到多个元件形成区的各者，导电焊盘跨越所述元件分离区；第一绝缘层，其覆盖第一半导体层和导电焊盘；第二半导体层，其设置在第一绝缘层上，并设置有第二有源元件；第二绝缘层，其覆盖第二半导体层；和导电插塞，其嵌入在从第二绝缘层到达导电焊盘的连接孔中，由与导电焊盘的材料相同的材料形成并且与导电焊盘一体地形成。
本发明授权半导体装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其包括： 第一半导体层，所述第一半导体层包括经由元件分离区彼此相邻设置的多个元件形成区，所述多个元件形成区分别设置有第一有源元件； 接触区域，所述接触区域分别设置在所述多个元件形成区各者的表面层部分的所述元件分离区侧； 导电焊盘，所述导电焊盘连接到所述多个元件形成区各者的所述接触区域，所述导电焊盘跨越所述元件分离区延伸； 第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述第一半导体层和所述导电焊盘； 第二半导体层，所述第二半导体层设置在所述第一绝缘层上，并设置有第二有源元件； 第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖所述第二半导体层；和 导电插塞，所述导电插塞分别嵌入在从所述第二绝缘层延伸至所述导电焊盘的连接孔中，所述导电插塞由与所述导电焊盘的材料相同的材料形成并且与所述导电焊盘一体地形成。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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