应用材料公司B·齐获国家专利权
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龙图腾网获悉应用材料公司申请的专利形成氮化硅封装层的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113874982B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080038432.5，技术领域涉及：H10P14/694；该发明授权形成氮化硅封装层的方法是由B·齐;A·B·玛里克设计研发完成，并于2020-04-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本形成氮化硅封装层的方法在说明书摘要公布了：本文描述的实施例总体上涉及处理基板的方法，包括将基板放置于处理腔室的处理容积中。所述基板包含具有多个特征的图案化表面。由穿过多层堆叠形成的一个或更多个开口来界定所述多个特征的各个特征，且所述多层堆叠包含含硫属元素材料。所述方法进一步包含使第一处理气体的脉冲流动进入处理容积。此处，第一处理气体包含硅前驱物和氮前驱物。所述方法进一步包含点燃并维持第一处理气体的等离子体。所述方法进一步包含将第一氮化硅层沉积至所述基板的所述图案化表面上。此外，所述方法包含在第一氮化硅层上沉积第二氮化硅层。
本发明授权形成氮化硅封装层的方法在权利要求书中公布了：1.一种处理基板的方法，包括以下步骤： 将基板放置于处理腔室的处理容积中，所述基板包括具有多个特征的图案化表面，其中由穿过多层堆叠形成的一个或更多个开口来界定所述多个特征的各个特征，其中所述多层堆叠的至少一个层包括含硫属元素材料； 使硅前驱物和氮前驱物的脉冲流动进入所述处理容积； 将所述硅前驱物和所述氮前驱物的等离子体点燃； 将第一氮化硅层沉积至所述基板的所述图案化表面上，包括沉积所述第一氮化硅层的一部分并向等离子体处理暴露所述沉积部分的顺序循环；以及 在等离子体增强原子层沉积PEALD处理期间，在所述第一氮化硅层上沉积第二氮化硅层，其中 所述PEALD处理包括以下步骤的顺序循环：将所述基板暴露至硅前驱物、将所述基板暴露至氮前驱物、以及将所述基板暴露至等离子体。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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