日月光半导体制造股份有限公司吕文隆获国家专利权
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龙图腾网获悉日月光半导体制造股份有限公司申请的专利半导体封装装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114050147B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111295022.1，技术领域涉及：H10W70/60；该发明授权半导体封装装置及其制造方法是由吕文隆设计研发完成，并于2021-11-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体封装装置及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体封装装置及其制造方法。该半导体封装装置包括：桥接重布线层，包括高密度线路区和低密度线路区；第一电子元件，设置于桥接重布线层下，第一电子元件主动面设置有第一高密度输入‑输出IO区和第一低密度IO区，第一高密度IO区与高密度线路区电连接，第一低密度IO区通过打线与低密度线路区电连接；第二电子元件，与第一电子元件相邻设置，第二电子元件主动面设置有第二高密度IO区和第二低密度IO区，第二高密度IO区与高密度线路区电连接。
本发明授权半导体封装装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装装置，包括： 桥接重布线层，包括高密度线路区和低密度线路区； 第一电子元件，设置于所述桥接重布线层下，所述第一电子元件主动面设置有第一高密度输入-输出IO区和第一低密度IO区，所述第一高密度IO区与所述高密度线路区通过焊料电连接，所述第一低密度IO区通过打线与所述低密度线路区电连接； 第二电子元件，与所述第一电子元件相邻设置，所述第二电子元件主动面设置有第二高密度IO区和第二低密度IO区，所述第二高密度IO区与所述高密度线路区电连接； 在垂直方向上，所述第一低密度IO区从所述桥接重布线层暴露出来。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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