买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉铠侠股份有限公司申请的专利半导体存储装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114068561B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110155967.7，技术领域涉及：H10B41/10；该发明授权半导体存储装置及其制造方法是由叶末俊介设计研发完成，并于2021-02-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体存储装置及其制造方法在说明书摘要公布了：实施方式提供一种能够降低制造时的负载效应的影响的半导体存储装置及其制造方法。实施方式的半导体存储装置10的制造方法包括如下步骤：通过将绝缘层30与牺牲层60交替地积层而形成被加工部70；在被加工部70的表面S11上形成蚀刻掩模300；在作为蚀刻掩模300的一部分的第1区域，形成从蚀刻掩模300的表面S20到达被加工部70的表面S11的多个贯通孔310，且在蚀刻掩模300中与第1区域邻接的第2区域，形成使蚀刻掩模300的表面S20的一部分朝向被加工部70呈凹状避让而成的凹部320。

本发明授权半导体存储装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储装置的制造方法，包括如下步骤： 通过将绝缘层与牺牲层交替地积层而形成被加工部； 在所述被加工部的表面上形成蚀刻掩模； 在作为所述蚀刻掩模的一部分的第1区域，形成从所述蚀刻掩模的表面到达所述被加工部的表面的多个贯通孔；以及 在所述蚀刻掩模中与所述第1区域邻接的第2区域，形成使所述蚀刻掩模的表面的一部分朝向所述被加工部呈凹状避让而成的凹部；且 在所述第2区域形成所述凹部的步骤包括： 在所述蚀刻掩模的表面形成抗反射膜； 在所述抗反射膜的表面形成抗蚀膜； 通过将所述抗蚀膜中与所述凹部对应的部分去除，在所述抗蚀膜形成与所述凹部对应的开口； 对所述蚀刻掩模及所述抗反射膜进行蚀刻，对所述蚀刻掩模及所述抗反射膜中所述抗蚀膜的所述开口的正下方的部分进行蚀刻，从而在所述蚀刻掩模形成所述凹部； 所述多个贯通孔形成于在所述第2区域形成有所述凹部的所述蚀刻掩模的所述第1区域； 在沿着相对于所述蚀刻掩模的表面垂直的方向观察的情况下， 所述凹部中所述第1区域侧的端部平行于所述第1区域与所述第2区域的边界， 将最靠近所述第1区域与所述第2区域的边界的位置上所形成的所述贯通孔设为第1贯通孔， 将沿着相对于所述边界垂直的方向与所述第1贯通孔相邻的位置上所形成的所述贯通孔设为第2贯通孔时， 以从所述第1贯通孔的缘到所述第2贯通孔的缘的最短距离与从所述第1贯通孔的缘到所述凹部的最短距离彼此相等、所述第1贯通孔的宽度与所述第2贯通孔的宽度在同一高度位置彼此相同的方式，形成各个所述贯通孔及所述凹部。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人铠侠股份有限公司，其通讯地址为：日本东京；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。