美光科技公司L·弗拉汀获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利三维存储器装置的架构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114072916B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080032333.6，技术领域涉及：H10B63/00；该发明授权三维存储器装置的架构及其制备方法是由L·弗拉汀;E·瓦雷西;P·凡蒂尼设计研发完成，并于2020-04-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维存储器装置的架构及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开描述三维3D存储器阵列的架构、其相关的系统及方法。阵列可包含衬底，其布置有呈几何图案的导电接点及穿过导电及绝缘材料的交替层的开口，这可减小所述开口之间的间距，同时维持电介质厚度以保持电压施加于所述阵列。在蚀刻材料之后，可将牺牲层沉积于形成蛇形形状的沟槽中。可移除所述牺牲层的部分以形成单元材料沉积到其中的开口。可形成与所述牺牲层接触的绝缘材料。导电柱大体上垂直于所述导电材料的平面及所述衬底延伸且耦合到导电接点。硫属化物材料可形成于凹槽中部分围绕所述导电柱。
本发明授权三维存储器装置的架构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器装置的制备方法，其包括： 穿过第一电介质层、第一导电层及第二电介质层形成沟槽，所述沟槽暴露衬底且将所述第一导电层分成与第一字线驱动器相关联的第一部分及与第二字线驱动器相关联的第二部分； 沉积接触所述沟槽的第一侧壁及第二侧壁的保形材料； 通过蚀刻所述保形材料的一部分来在延伸穿过所述衬底的接点上形成开口；及 将经配置以存储信息的硫属化物材料沉积到所述开口中以与通过所述蚀刻所暴露的所述开口的侧壁及底壁接触。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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