英飞凌科技股份有限公司H·托伊斯获国家专利权
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龙图腾网获悉英飞凌科技股份有限公司申请的专利光声传感器和所属的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114111868B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111008989.7，技术领域涉及：G01D11/30；该发明授权光声传感器和所属的制造方法是由H·托伊斯;R·M·沙勒设计研发完成，并于2021-08-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本光声传感器和所属的制造方法在说明书摘要公布了：本公开的实施例涉及光声传感器和所属的制造方法。一种光声传感器包括：具有光学MEMS发射器的第一层；堆叠在第一层之上的第二层，其具有MEMS压力传感器和透光窗口，其中MEMS压力传感器和透光窗口彼此横向偏移地布置；以及堆叠在第二层之上的第三层，其具有用于参考气体的腔体。光学MEMS发射器被设计为沿着光路传输光辐射，其中光路延伸穿过透光窗口和用于参考气体的腔体，并且其中MEMS压力传感器布置在光路的延伸路线之外。
本发明授权光声传感器和所属的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种光声传感器，包括： 第一层2，具有光学MEMS发射器4； 堆叠在所述第一层2之上的第二层6，具有MEMS压力传感器8和透光窗口10，其中所述MEMS压力传感器8和所述透光窗口10彼此横向偏移地布置； 堆叠在所述第二层6之上的第三层12，具有用于参考气体16的腔体14；以及 布置在所述第一层2与所述第二层6之间的间隔层18，所述间隔层具有开口， 其中所述光学MEMS发射器4被设计为沿着光路传输光辐射26，其中所述光路延伸穿过所述间隔层18的所述开口、所述透光窗口10和所述用于参考气体16的腔体14，并且其中所述MEMS压力传感器8布置在所述光路的延伸路线之外。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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