英飞凌科技德累斯顿公司S·比塞尔特获国家专利权
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龙图腾网获悉英飞凌科技德累斯顿公司申请的专利带有压力和加速度传感器元件的半导体管芯获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114132887B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110909601.4，技术领域涉及：B81B7/02；该发明授权带有压力和加速度传感器元件的半导体管芯是由S·比塞尔特;D·迈因霍尔德设计研发完成，并于2021-08-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本带有压力和加速度传感器元件的半导体管芯在说明书摘要公布了：本公开的实施例涉及带有压力和加速度传感器元件的半导体管芯。提出了一种半导体管芯，其中该半导体管芯具有半导体芯片。半导体芯片包括压阻式压力传感器元件和至少一个电容式加速度传感器元件。压阻式压力传感器元件布置在电容式加速度传感器元件旁边。还提出了一种用于制造半导体管芯的方法，其中将绝缘层施加到半导体晶片上，其中通过将绝缘层结构化来暴露单晶覆盖层的间隔，其中通过沉积半导体材料生成半导体层，并且其中半导体层具有单晶部段和多晶部段。
本发明授权带有压力和加速度传感器元件的半导体管芯在权利要求书中公布了：1.一种半导体管芯900， 其中所述半导体管芯900具有半导体芯片和覆盖所述半导体芯片的覆盖芯片911， 其中所述半导体芯片具有压阻式压力传感器元件915以及至少一个电容式加速度传感器元件914， 其中所述半导体芯片包括衬底101和设置在所述衬底与所述覆盖芯片911之间的中间层， 其中所述压阻式压力传感器元件915和所述电容式加速度传感器元件914位于所述中间层中，并且在朝向所述覆盖芯片911一侧处被并排布置，使得所述电容式加速度传感器元件914感测所述覆盖芯片911键合到所述半导体芯片上时的压力，并且实现所述压阻式压力传感器元件915的隔膜的顶面与环境压力的结合。
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