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龙图腾网获悉合肥工业大学申请的专利一种基于两个光电探测单元构成的波长探测器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114141757B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111439769.X，技术领域涉及：H10K39/30；该发明授权一种基于两个光电探测单元构成的波长探测器是由罗林保;付灿;李春燕;赵耀祖;范荣誉设计研发完成，并于2021-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于两个光电探测单元构成的波长探测器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于两个光电探测单元构成的波长探测器，其包括两个呈上下或前后平行放置的以半导体晶片或钙钛矿薄膜作为吸光层的光电探测单元，当光从位于上方或前方的光电探测单元向下或向后逐层照射波长探测器时，两光电探测单元的电流比随被探测光波长的增大而规律变化，从而可根据电流比识别被探测光的波长。本发明的波长探测器可探测的波长范围从265nm紫外‑1.6μm中红外，具有性质稳定、可靠性强、响应速度快、准确性和重复性高等优点，且制备工艺简单、成本低廉。

本发明授权一种基于两个光电探测单元构成的波长探测器在权利要求书中公布了：1.一种基于两个光电探测单元构成的波长探测器，其特征在于：所述波长探测器包括呈上下或前后平行叠放的两个相同的光电探测单元；所述光电探测单元的结构为：在石英衬底的上表面旋涂有FA0.85Cs0.15PbI3钙钛矿薄膜，在所述钙钛矿薄膜上设置有一对金电极；当光从位于上方或前方的光电探测单元向下或向后逐层照射所述波长探测器时，两光电探测单元的电流比随被探测光波长的增大而规律性变化，从而可根据电流比识别被探测光的波长，可探测的波长范围包括265-970nm； 或者，所述波长探测器包括呈上下或前后平行叠放的两个相同的光电探测单元；所述光电探测单元的结构为：包括锗片；在所述锗片上表面的部分区域沉积有绝缘层，在所述锗片的下表面设置有铟镓合金电极；在所述绝缘层上转移有石墨烯薄膜，所述石墨烯薄膜的一部分位于绝缘层上，其余部分与未设置绝缘层的锗片接触并构成肖特基结；在所述石墨烯薄膜上设置有与石墨烯呈欧姆接触的金属电极，所述金属电极位于所述绝缘层的正上方且不超出所述绝缘层的区域；所述锗片固定在玻璃衬底上；当光从位于上方或前方的光电探测单元向下或向后逐层照射所述波长探测器时，两光电探测单元的电流比随被探测光波长的增大而规律性变化，从而可根据电流比识别被探测光的波长，可探测的波长范围包括530-1650nm； 或者，所述波长探测器包括呈上下或前后平行叠放的第一光电探测单元和第二光电探测单元；所述第一光电探测单元的结构为：包括固定在玻璃衬底上的超薄硅片；在所述超薄硅片上设置有石墨烯叉指电极，由石墨烯与超薄硅构成肖特基结；所述第二光电探测单元的结构为：包括锗片；在所述锗片上表面的部分区域沉积有绝缘层，在所述锗片的下表面设置有铟镓合金电极；在所述绝缘层上转移有石墨烯薄膜，所述石墨烯薄膜的一部分位于绝缘层上，其余部分与未设置绝缘层的锗片接触并构成肖特基结；在所述石墨烯薄膜上设置有与石墨烯呈欧姆接触的金属电极，且所述金属电极位于所述绝缘层的正上方且不超出所述绝缘层的区域；所述锗片固定在玻璃衬底上；当光从第一光电探测单元向下或向后逐层照射所述波长探测器时，两光电探测单元的电流比随被探测光波长的增大而逐渐变化，从而可根据电流比识别被探测光的波长，可探测的波长范围包括265-1550nm； 或者，所述波长探测器是在半导体晶片的上、下表面皆设置有与其形成肖特基结、异质结或欧姆接触的30-100nm厚的金属叉指电极或一对0.34-30nm厚的二维薄膜材料电极，半导体晶片分别与两侧的对电极构成两个光电探测单元；当光从半导体晶片的上表面向后逐层照射所述波长探测器时，两光电探测单元的电流比随被探测光波长的增大而逐渐变化，从而可根据电流比识别被探测光的波长，可探测的波长范围包括265-2000nm。

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