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龙图腾网获悉山东浪潮华光光电子股份有限公司申请的专利一种LED四元芯片GaP外延层的腐蚀方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114446776B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011194921.8，技术领域涉及：H10P50/64；该发明授权一种LED四元芯片GaP外延层的腐蚀方法是由王建华;魏朝;李晓明;闫宝华设计研发完成，并于2020-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种LED四元芯片GaP外延层的腐蚀方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种LED四元芯片GaP外延层的腐蚀方法，该方法包括：在LED四元芯片的GaP外延层表面涂布正性光刻胶，然后进行曝光、显影、烘烤，在GaP外延层表面保留正性光刻胶的电极图形；采用等离子清洗机清洗打胶；在保留的正性光刻胶电极图形保护下，采用GaP腐蚀液进行腐蚀，制备出P电极的电流扩展通道；本发明的腐蚀方法是针对GaAs基LED外延片电流扩展层GaP的一种专门性腐蚀方法，GaP腐蚀控制稳定性强，根据腐蚀时间即可控制腐蚀深度，操作性强，且对GaAs衬底无腐蚀作用，减少N面的化学污染的影响，且腐蚀GaP电流扩展层电极洞内干净无残留，大大降低了因外观不合格导致的降档。

本发明授权一种LED四元芯片GaP外延层的腐蚀方法在权利要求书中公布了：1.一种LED四元芯片GaP外延层的腐蚀方法，包括步骤如下： 1在LED四元芯片的GaP外延层表面涂布正性光刻胶，正性光刻胶的厚度为3.0μm，然后进行曝光、显影、烘烤，在GaP外延层表面保留正性光刻胶的电极图形； 烘烤温度90-110℃，时间5-15分钟； 2采用等离子清洗机清洗步骤1处理后LED四元芯片的GaP外延层表面的打胶； 等离子清洗机清洗打胶功率：15-30W,清洗时间4-10分钟； 3配置GaP腐蚀液； 将氢溴酸和纯水按照体积300-450ml～7000-9000ml的比例混合配置成混合液，再在混合液中添加体积8-50ml溴水，配置成GaP腐蚀液； GaP腐蚀液使用玻璃棒搅拌5-10min至完全互溶或超声机超声加速溶液的互溶性，超声功率10-20KHz,时间5-10分钟； 在步骤1保留的正性光刻胶电极图形保护下，采用GaP腐蚀液在温度19-26℃以及湿度30％-65％下腐蚀步骤2清洗后的LED四元芯片的GaP外延层10秒-30秒，制备出P电极的电流扩展通道，GaP腐蚀液在配制后12小时内使用。

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