爱思开海力士有限公司李南宰获国家专利权
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龙图腾网获悉爱思开海力士有限公司申请的专利半导体装置及半导体装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114496984B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110591924.3，技术领域涉及：H10W70/65；该发明授权半导体装置及半导体装置的制造方法是由李南宰设计研发完成，并于2021-05-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及半导体装置的制造方法在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。一种半导体装置包括：第一绝缘层；布线接触，其通过第一绝缘层彼此间隔开；以及接合布线，其连接到布线接触。每个布线接触包括在第一绝缘层中的基部和从第一绝缘层的内部向外部突出的突出部。布线接触的突出部与接合布线接触。
本发明授权半导体装置及半导体装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，该半导体装置包括： 层叠结构，所述层叠结构包括交替层叠的导电图案和绝缘图案； 第一绝缘层，所述第一绝缘层围绕所述层叠结构； 布线接触，所述布线接触通过所述第一绝缘层彼此间隔开；以及 接合布线，所述接合布线连接到所述布线接触， 其中，所述布线接触中的每一个包括在所述第一绝缘层中的基部和从所述第一绝缘层的内部向外部突出的突出部，并且 其中，所述布线接触的所述突出部与所述接合布线接触， 其中，所述第一绝缘层的顶表面被凹入以限定凹陷部，并且 其中，通过所述凹陷部来露出所述布线接触的所述突出部。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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