京东方科技集团股份有限公司刘浩男获国家专利权
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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司申请的专利数字免疫芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114544936B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011349414.7，技术领域涉及：G01N33/543；该发明授权数字免疫芯片及其制备方法是由刘浩男;殷雨丹;丁丁设计研发完成，并于2020-11-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本数字免疫芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种数字免疫芯片及其制备方法，属于免疫检测芯片技术领域，其可解决现有的免疫物质检测方法中试剂消耗量多，通量低的问题。本发明的一种数字免疫芯片，包括相对键合设置的第一基板和第二基板；所述第一基板包括：第一基底、设置在所述第一基底上的驱动电极；设置在所述驱动电极所在层背离所述第一基底一侧的第一疏水层；以及设置在所述驱动电极与所述第一疏水层之间的介电层；所述第二基板包括：第二基底，设置于所述第二基底上的免疫检测物；所述免疫检测物设置于所述第二基板靠近所述第一基板的一侧表面；所述免疫检测物包括抗原或者抗体。
本发明授权数字免疫芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种数字免疫芯片，包括相对键合设置的第一基板和第二基板；其特征在于， 所述第一基板包括：第一基底、设置在所述第一基底上的驱动电极、设置在所述驱动电极所在层背离所述第一基底一侧的第一疏水层、以及设置在所述驱动电极与所述第一疏水层之间的介电层； 所述第二基板包括：第二基底、设置在所述第二基底上的第二疏水层和点样台、设置于所述点样台靠近所述第一基板一侧的免疫检测物； 其中，所述第二疏水层靠所述第一基板的表面与所述点样台靠近所述第一基板的表面位于同一平面；所述点样台的材料包括二氧化硅；所述点样台与驱动电极一一对应，且所述点样台在所述第一基底上的正投影小于所述驱动电极在所述第一基底上的正投影；所述免疫检测物对应所述驱动电极，所述免疫检测物包括抗原或者抗体。
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