长鑫存储技术有限公司朱磊获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利电位产生电路、反相器、延时电路和逻辑门电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114553196B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011340770.2，技术领域涉及：H03K5/135；该发明授权电位产生电路、反相器、延时电路和逻辑门电路是由朱磊设计研发完成，并于2020-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本电位产生电路、反相器、延时电路和逻辑门电路在说明书摘要公布了：本申请提供一种电位产生电路、反相器、延时电路和逻辑门电路。该电位产生电路包括：第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管的衬底端的电位随第一参数变化而变化，第一参数为电位产生电路的供电电压、工作温度和制造工艺中的任一项，其中，第一晶体管的栅极端连接第一晶体管的漏极端，第一晶体管的衬底端作为电位产生电路的输出端，第二晶体管的栅极端连接第二晶体管的漏极端。从而，第一晶体管的衬底端可输出随供电电压、工作温度和制造工艺中的任一项变化而变化的电位。
本发明授权电位产生电路、反相器、延时电路和逻辑门电路在权利要求书中公布了：1.一种电位产生电路，其特征在于，包括： 第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管的衬底端的电位随第一参数变化而变化，所述第一参数为所述电位产生电路的供电电压、工作温度和制造工艺中的任一项； 其中，所述第一晶体管的栅极端连接所述第一晶体管的漏极端，所述第一晶体管的衬底端作为所述电位产生电路的输出端；所述第二晶体管的栅极端连接所述第二晶体管的漏极端； 所述第一晶体管为P型晶体管，所述第二晶体管为N型晶体管； 所述第一晶体管的源极端连接第一电压节点，所述第二晶体管的源极端连接第二电压节点，所述第一晶体管的漏极端连接所述第二晶体管的漏极端，所述第二晶体管的衬底端连接所述第二电压节点； 所述电位产生电路还包括： 恒流源，所述恒流源的第一端连接所述第一电压节点，所述恒流源的第二端连接第三电压节点； 误差放大器，与所述第一晶体管构成反馈回路，所述第一晶体管的衬底端连接所述反馈回路的一个电压节点； 所述误差放大器的负输入端连接所述第一电压节点，所述误差放大器的正输入端连接第一参考电压，所述误差放大器的输出端连接所述第一晶体管的衬底端。
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