株式会社电装喜田弘文获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社电装申请的专利半导体装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114586170B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980101515.1，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体装置及其制造方法是由喜田弘文;富田英干;森朋彦;山寺秀哉设计研发完成，并于2019-10-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及其制造方法在说明书摘要公布了：一种半导体装置，具备被埋入到第1槽内的JFET区域，该第1槽设置在氮化物半导体层的元件部的一个主面，在氮化物半导体层的周边耐压部，在氮化物半导体层的一个主面设有第2槽，与沟道部邻接的第1槽的侧面的倾斜角小于第2槽的侧面的倾斜角。
本发明授权半导体装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于， 具备： 氮化物半导体层，被划分为元件部和在上述元件部的周围配置的周边耐压部； 源极电极，设置在上述氮化物半导体层的一个主面； 漏极电极，设置在上述氮化物半导体层的另一个主面；以及 绝缘栅极部， 上述氮化物半导体层具有： 第1导电型的漂移区域，配置在上述元件部和上述周边耐压部； 第1导电型的JFET区域，配置在上述元件部，设置在上述漂移区域上，并埋入到在上述一个主面设置的第1槽内； 第2导电型的体区域，配置在上述元件部，设置在上述漂移区域上，并与上述JFET区域邻接；以及 第1导电型的源极区域，配置在上述元件部，被上述体区域从上述JFET区域隔开， 上述绝缘栅极部配置在上述元件部，与将上述JFET区域和上述源极区域隔开的上述体区域的沟道部对置， 在上述氮化物半导体层的上述周边耐压部，在上述氮化物半导体层的上述一个主面设置有第2槽， 与上述沟道部邻接的上述第1槽的侧面的倾斜角小于上述第2槽的侧面的倾斜角， 与上述沟道部邻接的上述第1槽的上述侧面在上述氮化物半导体层的上述一个主面处露出的轮廓相对于m面平行， 上述第2槽的上述侧面在上述氮化物半导体层的上述一个主面处露出的轮廓相对于a面平行。
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