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龙图腾网获悉中山大学申请的专利一种全自动DRAM存储单元读写功能测试方法和系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114822678B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210564072.3，技术领域涉及：G11C29/56；该发明授权一种全自动DRAM存储单元读写功能测试方法和系统是由陈焕君;牟炳叡;王自鑫;胡炳翔;杨锐佳设计研发完成，并于2022-05-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种全自动DRAM存储单元读写功能测试方法和系统在说明书摘要公布了：本发明涉及集成电路测试技术领域，提出一种全自动DRAM存储单元读写功能测试方法和系统，其中包括以下步骤：采集待测芯片的丝印图像，采用ResNet神经网络对所述丝印图像进行识别，得到丝印信息；根据所述丝印信息，从预设的数据库中读取与所述丝印信息匹配的读写功能测试方法，并将所述读写功能测试方法传输至ATE设备；将ATE设备与待测芯片电连接，所述ATE设备根据接收的读写功能测试方法对待测芯片进行读写功能测试。本发明实现DRAM存储单元读写功能测试工作的自动化，有效提高读写功能测试工作效率，同时保证较高的读写功能测试准确率。

本发明授权一种全自动DRAM存储单元读写功能测试方法和系统在权利要求书中公布了：1.一种全自动DRAM存储单元读写功能测试方法，其特征在于，包括以下步骤： 采集待测芯片的丝印图像，采用ResNet神经网络对所述丝印图像进行识别，得到丝印信息；所述丝印信息包括芯片型号； 根据所述丝印信息，从预设的数据库中读取与所述丝印信息匹配的读写功能测试方法，并将所述读写功能测试方法传输至ATE设备； 将ATE设备与待测芯片电连接，所述ATE设备根据接收的读写功能测试方法对待测芯片进行读写功能测试； 所述ATE设备根据接收的读写功能测试方法，分别设定施加于待测芯片的工作电源、输入电平、输出电平、参考电平和负载电流的值；设定待测芯片的上电顺序；设定待测芯片的控制信号、地址信号和数据信号的数据格式、时序、通道和控制寄存器的分配； 依次调用预设的测试图形，向待测芯片写入数据，并读取所述待测芯片的输出数据； 将所述待测芯片的输出数据与对应的期望读出数据进行比对验证，若比对一致，则判断待测芯片的读写功能正常；否则判断待测芯片的读写功能异常； 所述ATE设备与传送控制模块和动力机构连接，所述传送控制模块基于ATE输出信号控制传送带启停，用于将待测芯片传送至测试位置，并将测试完的待测芯片基于测试结果传送至预定位置。

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