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龙图腾网获悉三菱电机株式会社申请的专利半导体装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114883182B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210112145.5，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权半导体装置及其制造方法是由原田辰雄设计研发完成，并于2022-01-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置及其制造方法在说明书摘要公布了：目的在于得到能够抑制饱和电流的波动的半导体装置及其制造方法。本发明涉及的半导体装置具有：基板；第1导电型的漂移层，设置于该基板的上表面侧；第2导电型的基极层，设置于该漂移层的该上表面侧；该第1导电型的上部半导体层，设置于该基极层的上表面侧；第1电极，设置于该基板的该上表面，与该上部半导体层电连接；第2电极，设置于该基板的该背面；沟槽，从该基板的该上表面起将该上部半导体层和该基极层贯穿而延伸至该漂移层为止；以及栅极电极，设置于该沟槽的内部，该沟槽的内侧面具有第1面和设置于比该第1面更靠下方处的第2面，该第2面相对于该第1面而向该沟槽的内侧倾斜，该第1面与该第2面的交点设置于比该基极层更靠下方处。

本发明授权半导体装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，具有： 基板，其具有上表面和与所述上表面相反侧的背面； 第1导电型的漂移层，其设置于所述基板的所述上表面侧； 与所述第1导电型不同的第2导电型的基极层，其设置于所述漂移层的所述上表面侧； 所述第1导电型的上部半导体层，其设置于所述基极层的所述上表面侧； 第1电极，其设置于所述基板的所述上表面，与所述上部半导体层电连接； 第2电极，其设置于所述基板的所述背面； 沟槽，其从所述基板的所述上表面将所述上部半导体层和所述基极层贯穿而延伸至所述漂移层为止；以及 栅极电极，其设置于所述沟槽的内部， 所述沟槽的内侧面具有第1面和设置于比所述第1面更靠下方处的第2面， 所述第2面相对于所述第1面而向所述沟槽的内侧倾斜， 所述第1面与所述第2面的交点设置于比所述基极层更靠下方处， 从所述基板的所述上表面至所述交点为止的深度TC、从所述基板的所述上表面至所述基极层中的与所述沟槽相邻的部分的下端为止的深度TB和所述沟槽的至底部为止的深度TD满足 [式1] 的关系， TD的单位是μm。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三菱电机株式会社，其通讯地址为：日本东京；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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