宁波芯健半导体有限公司刘凤获国家专利权
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龙图腾网获悉宁波芯健半导体有限公司申请的专利一种封装方法、封装结构及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114927495B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210532286.2，技术领域涉及：H10W70/62；该发明授权一种封装方法、封装结构及电子设备是由刘凤;彭祎;任超;方梁洪设计研发完成，并于2022-05-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种封装方法、封装结构及电子设备在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体封装技术领域，特别涉及一种封装方法、封装结构及电子设备。该方法包括：获取待封装基板；待封装基板包括高阻硅衬底；高阻硅衬底具有封装表面，封装表面上设置有焊点；焊点远离高阻硅衬底的表面具有表面氧化层7；在封装表面上制作阻抗调节层；阻抗调节层用于降低高阻硅衬底的表面电阻率；刻蚀去除表面氧化层7，得到封装结构。该封装方法，通过在基板的封装表面上设置阻抗调节层，阻抗调节层能够降低高阻硅衬底表层的电阻率，以提高射频刻蚀时的自偏压，从而可以将焊点表面氧化层7完全去除。该方法能够降低高阻硅封装工艺对于刻蚀设备的要求，使高阻硅封装工艺能够适配于已有的硅晶圆封装工艺产线，从而降低生产成本。
本发明授权一种封装方法、封装结构及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种封装方法，其特征在于，包括： 获取待封装基板；所述待封装基板包括高阻硅衬底1；所述高阻硅衬底1具有封装表面，所述封装表面上设置有焊点4；所述焊点4远离所述高阻硅衬底1的表面具有表面氧化层7； 在所述封装表面上制作阻抗调节层3；所述阻抗调节层3用于降低所述高阻硅衬底1的表面电阻率；所述阻抗调节层3的电阻率小于所述高阻硅衬底1的电阻率；所述阻抗调节层3的厚度为5μm-10μm； 刻蚀去除所述表面氧化层7，得到封装结构。
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