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龙图腾网获悉武汉仟目激光有限公司申请的专利垂直腔面发射激光器及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114927937B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210480954.1，技术领域涉及：H01S5/042；该发明授权垂直腔面发射激光器及其制作方法是由纪兆泽;郭丁凯;杨旭设计研发完成，并于2022-05-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本垂直腔面发射激光器及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明涉及激光器技术领域，提供了一种垂直腔面发射激光器，包括如下步骤：S1，在外延层表面进行p金属的蒸发形成p电极以及p金属电极连接带，所述p金属电极连接带接在所述p电极上；S2，在p电极和所述p金属电极连接带外制作氧化刻蚀槽；S3，制作完毕后整体进行氧化，在外延层内部形成氧化孔；S4，接着对p电极和所述p金属电极连接带处理后进行离子注入，在离子注入保护区中形成辅助电流通道，所述p电极和所述p金属电极连接带均处于所述辅助电流通道中；S5，继续对p面和n面进行处理后切割芯片制作完毕。还提供一种垂直腔面发射激光器。本发明通过辅助电流通道，可以增加电流通道面积，从而实现减少关键通道电流密度，提高芯片可靠性。

本发明授权垂直腔面发射激光器及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种垂直腔面发射激光器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤： S1，在外延层表面进行p金属的蒸发形成p电极以及p金属电极连接带，所述p金属电极连接带接在所述p电极上； S2，在所述p电极和所述p金属电极连接带外制作氧化刻蚀槽； S3，制作完毕后整体进行氧化，在所述外延层内部形成氧化孔； S4，接着对所述p电极和所述p金属电极连接带处理后进行离子注入，在离子注入保护区中形成辅助电流通道，所述p电极和所述p金属电极连接带均处于所述辅助电流通道中，采用辅助电流通道，增加电流通道面积，并减少关键通道电流密度； S5，继续对p面和n面进行处理后切割芯片制作完毕， 所述p金属电极连接带呈三段式结构，所述三段式结构包括沿所述p金属电极连接带的长度方向依次布设的第一段、第二段以及第三段，所述第一段与所述p电极连接，且所述第一段的宽度沿所述p金属电极连接带的长度方向渐缩。

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