凸版光掩模有限公司松井一晃获国家专利权
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龙图腾网获悉凸版光掩模有限公司申请的专利反射型掩模坯、反射型掩模、反射型掩模的制造方法、以及反射型掩模的校正方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114930245B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080086842.7，技术领域涉及：G03F1/58；该发明授权反射型掩模坯、反射型掩模、反射型掩模的制造方法、以及反射型掩模的校正方法是由松井一晃;小岛洋介设计研发完成，并于2020-12-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本反射型掩模坯、反射型掩模、反射型掩模的制造方法、以及反射型掩模的校正方法在说明书摘要公布了：本发明提供即使在薄膜吸收膜所使用的材料对于EUV光的消光系数k大的情况下，也能够缩短电子束校正蚀刻所需时间的反射型掩模坯、反射型掩模、反射型掩模的制造方法、以及反射型掩模的校正方法。本实施方式涉及的反射型掩模坯10具有：基板1、多层反射膜2、封盖层3、低反射部5，低反射部5由吸收膜A和吸收膜B交替层叠而成，吸收膜A的电子束校正时的校正蚀刻速率大于吸收膜B的电子束校正时的校正蚀刻速率，吸收膜B含有选自锡、铟、铂、镍、碲、银及钴中的1种以上的元素。
本发明授权反射型掩模坯、反射型掩模、反射型掩模的制造方法、以及反射型掩模的校正方法在权利要求书中公布了：1.一种反射型掩模坯，具有： 基板、 形成在所述基板上且具有多层膜结构的反射EUV光的反射膜、 形成在所述反射膜上且保护所述反射膜的保护膜、以及 形成在所述保护膜上且由两层以上的多层膜构成的吸收EUV光的吸收膜，特征在于， 所述吸收膜由第1吸收膜和第2吸收膜交替层叠而成， 所述第1吸收膜的电子束校正时的校正蚀刻速率大于所述第2吸收膜的电子束校正时的校正蚀刻速率， 所述第2吸收膜含有选自锡、铟、铂、镍、银及钴中的1种以上的元素， 所述第1吸收膜与所述保护膜接触。
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