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龙图腾网获悉琳得科株式会社申请的专利固化性树脂膜、复合片、及半导体芯片的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114930504B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080090576.5，技术领域涉及：H10P72/70；该发明授权固化性树脂膜、复合片、及半导体芯片的制造方法是由篠田智则;根本拓;田村樱子;森下友尧;四宫圭亮设计研发完成，并于2020-12-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本固化性树脂膜、复合片、及半导体芯片的制造方法在说明书摘要公布了：本发明的课题在于提供能够相对于半导体芯片的凸块形成面及侧面这两者形成包覆性优异的保护膜的固化性树脂膜。作为解决该课题的固化性树脂膜，提供用于在具有凸块形成面的半导体芯片的上述凸块形成面及侧面这两者形成作为保护膜的固化树脂膜，所述凸块形成面具备凸块，该固化性树脂膜满足下述条件I。在温度90℃、频率1Hz的条件下使直径25mm、厚度1mm的上述固化性树脂膜的试验片产生应变并测定上述试验片的储能模量，在将上述试验片的应变为1％时的上述试验片的储能模量设为Gc1、将上述试验片的应变为300％时的上述试验片的储能模量设为Gc300时，通过下述式i计算出的X值为19以上且低于10,000。X＝Gc1Gc300····i

本发明授权固化性树脂膜、复合片、及半导体芯片的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种固化性树脂膜，其用于在具有凸块形成面的半导体芯片的所述凸块形成面及侧面这两者形成作为保护膜的固化树脂膜，所述凸块形成面具备凸块，该固化性树脂膜满足下述条件I， 条件I 在温度90℃、频率1Hz的条件下使直径25mm、厚度1mm的所述固化性树脂膜的试验片产生应变并测定所述试验片的储能模量，在将所述试验片的应变为1％时的所述试验片的储能模量设为Gc1、将所述试验片的应变为300％时的所述试验片的储能模量设为Gc300时，通过下述式i计算出的X值为19以上且低于10,000， X＝Gc1Gc300····i， 所述固化性树脂膜含有聚合物成分A、热固性成分B、填充材料D、及添加剂I，其中， 聚合物成分A为选自聚乙烯醇缩醛、丙烯酸树脂、氨基甲酸酯树脂、苯氧基树脂、有机硅树脂、饱和聚酯树脂中的至少一种， 热固性成分B为选自环氧类热固性树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂中的至少一种，所述环氧类热固性树脂含有环氧树脂及热固化剂， 填充材料D为无机填充材料， 添加剂I为选自流变调节剂、表面活性剂、硅油中的至少一种， 相对于固化性树脂膜的总质量，添加剂I的含量为0.5～10质量％。

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