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龙图腾网获悉美新半导体(天津)有限公司申请的专利带腔体器件的气密封装结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115072650B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210564533.7，技术领域涉及：B81B7/00；该发明授权带腔体器件的气密封装结构是由黄黎;凌方舟;储莉玲;金羊华设计研发完成，并于2022-05-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本带腔体器件的气密封装结构在说明书摘要公布了：本发明提供一种带腔体器件的气密封装结构，其包括：半导体衬底，其正面设置有第一半开放空腔；微机电系统层，其设置于半导体衬底的正面上方，微机电系统层的第一区域与第一半开放空腔形成第一密闭空腔；位移传感器，其设置于第一密闭空腔内；盖板，其设置于微机电系统层的上方，盖板的正面与微机电系统层的第一区域的相对位置处设置有第二半开放空腔，第二半开放空腔与微机电系统层的第一区域形成第二密闭空腔；键合层，其位于微机电系统层和盖板之间，用于将微机电系统层和盖板键合在一起，并密封第二密闭空腔。与现有技术相比，本发明可以识别MEMS制造过程中的腔体的异常漏气和放气，为MEMS性能的改善提供依据，提高良率，降低成本。

本发明授权带腔体器件的气密封装结构在权利要求书中公布了：1.一种带腔体器件的气密封装结构，其特征在于，其包括： 半导体衬底，其正面设置有相互间隔排布的第一半开放空腔和第二半开放空腔； 微机电系统层，其设置于所述半导体衬底的正面上方，所述微机电系统层设置有沿其表面相互间隔排布的第一区域和第二区域，所述微机电系统层的第一区域与所述半导体衬底正面的第一半开放空腔形成第一密闭空腔A；所述微机电系统层的第二区域与所述第二半开放空腔相对； 位移传感器，其设置于所述第一密闭空腔A内，其用于检测所述微机电系统层的第一区域在垂直于所述微机电系统层的方向发生的形变位移； 盖板，其设置于所述微机电系统层的上方，所述盖板的正面与所述微机电系统层的第一区域和第二区域的相对位置处设置有第三半开放空腔，所述第三半开放空腔、所述微机电系统层的第一区域和所述半导体衬底的第二半开放空腔形成第二密闭空腔B； 键合层，其位于所述微机电系统层和盖板之间，其用于将所述微机电系统层和盖板键合在一起，并密封所述第二密闭空腔B， 所述微机电系统层的第一区域设置有第一MEMS器件； 所述微机电系统层的第二区域设置有至少一个第二MEMS器件， 基于所述位移传感器检测到的所述微机电系统层的第一区域在垂直于所述微机电系统层的方向发生的形变位移，判定是所述键合层漏气还是所述半导体衬底放气， 所述第一密闭空腔的体积小于所述第二密闭空腔的体积， 当所述位移传感器检测到所述微机电系统层的第一区域向靠近所述半导体衬底的方向发生形变位移时，则判定所述键合层处存在漏气； 当所述位移传感器检测到所述微机电系统层的第一区域向靠近所述盖板的方向发生形变位移时，则判定所述半导体衬底存在放气。

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