河北正雍新材料科技有限公司田卓获国家专利权
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龙图腾网获悉河北正雍新材料科技有限公司申请的专利一种氮化硅的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115072678B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211002772.X，技术领域涉及：C01B21/068；该发明授权一种氮化硅的制备方法是由田卓;刘淑贞;马天龙设计研发完成，并于2022-08-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种氮化硅的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种氮化硅的制备方法，其包括如下步骤：将硅粉与氮化硅粉进行混合，将混合均匀的硅粉和氮化硅粉装入氮化炉内，第一阶段，氮化炉内温度按3‑5℃min速率由室温升温至800℃，氮气流量为30‑50Lmin；第二阶段，氮化炉内温度按0.5‑1℃min速率由800℃升温至1150℃后保温3‑10h，再以0.5‑3℃min速率下降至800℃后保温1‑3h，该过程中，氮气流量为0.1‑1Lmin，氮化炉内压力为50‑80KPa；重复第二阶段2‑3遍；将炉内温度快速升温至1300℃，自然降温得到氮化硅粉体。本发明的氮化硅的制备方法所制备的氮化硅粉，质量较高，能耗较低。
本发明授权一种氮化硅的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种氮化硅的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 将硅粉与氮化硅粉进行混合；其中，硅粉由5N级硅料进行细化和分级制得，且粒径满足：D50为0.1~0.3μm，D90为0.5~0.9μm； 装料和合成反应；将混合均匀的硅粉和氮化硅粉装入氮化炉内，并按以下方式控制氮化炉内温度，以及向氮化炉内通入氮气的流量： 第一阶段，氮化炉内温度按3-5℃min速率由室温升温至800℃，氮气流量为30-50Lmin； 第二阶段，氮化炉内温度按0.5-1℃min速率由800℃升温至1150℃后保温3-10h，再以0.5-3℃min速率下降至800℃后保温1-3h，该过程中，氮气流量为0.1-1Lmin，氮化炉内压力为50-80KPa； 重复第二阶段2-3遍； 将炉内温度快速升温至1300℃，自然降温得到氮化硅粉体。
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