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龙图腾网获悉株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115117169B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110861494.2，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权半导体装置是由松下宪一;安原纪夫设计研发完成，并于2021-07-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置在说明书摘要公布了：实施方式的半导体装置设定有单元区域和终端区域，并具备：第一电极；半导体部，设置在第一电极上的半导体部；绝缘膜，在终端区域中设置在半导体部上；多个第二电极，设置在绝缘膜上，当从上方观察时在从半导体部的中心朝向外周的第一方向排列并相互分离；第一浮动电极，设置在绝缘膜中，当从上方观察时与多个第二电极中的相邻的一对第二电极的间隙重叠，并隔着绝缘膜与一对第二电极中的一方对置；以及第二浮动电极，以与第一浮动电极分离的方式设置在绝缘膜中，当从上方观察时在间隙内与第一浮动电极重叠，与第一浮动电极重叠的部分位于在第一浮动电极中与间隙重叠的部分的下方，并隔着绝缘膜与一对第二电极中的另一方对置。

本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，设定有单元区域和包围所述单元区域的终端区域，其特征在于，该半导体装置具备： 第一电极； 半导体部，设置在所述第一电极上； 绝缘膜，在所述终端区域中设置在所述半导体部上； 多个第二电极，设置在所述绝缘膜上，当从上方观察时在从所述半导体部的中心朝向外周的第一方向上排列，并相互分离； 第一浮动电极，设置在所述绝缘膜中，与所述多个第二电极中的相邻的一对第二电极的第一间隙在与所述第一方向正交的第二方向上重叠，并隔着所述绝缘膜而与所述一对第二电极中的一方对置； 第二浮动电极，以与所述第一浮动电极分离的方式设置在所述绝缘膜中，在所述第一间隙内与所述第一浮动电极在所述第二方向上重叠，该第二浮动电极的与所述第一浮动电极重叠的部分位于所述第一浮动电极的与所述第一间隙重叠的部分的下方，该第二浮动电极隔着所述绝缘膜而与所述一对第二电极中的另一方对置； 第三浮动电极，设置在所述绝缘膜中，与所述一对第二电极中的另一方和另一第二电极之间的第二间隙在所述第二方向上重叠，并隔着所述绝缘膜而与所述一对第二电极中的另一方对置，所述另一第二电极是所述多个第二电极中的位于所述一对第二电极中的另一方的所述第一方向侧的第二电极；以及 第四浮动电极，以与所述第三浮动电极分离的方式设置在所述绝缘膜中，在所述第二间隙内与所述第三浮动电极在所述第二方向上重叠，该第四浮动电极的与所述第三浮动电极重叠的部分位于所述第三浮动电极的与所述第二间隙重叠的部分的下方，该第四浮动电极隔着所述绝缘膜而与所述另一第二电极对置。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社，其通讯地址为：日本东京都；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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