买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利用于三五族半导体外延生长的图案化硅衬底的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115148595B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210769534.5，技术领域涉及：H10P50/64；该发明授权用于三五族半导体外延生长的图案化硅衬底的制备方法是由牛刚;郭业轩;代立言;孙延笑;武和平设计研发完成，并于2022-07-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于三五族半导体外延生长的图案化硅衬底的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种用于三五III‑V族半导体外延生长的图案化硅衬底的制备方法，包括以下步骤：在预获取的硅衬底上制备掩膜层，获得制备有掩膜层的硅衬底；基于预设图案刻蚀所述制备有掩膜层的硅衬底中的掩膜层，形成第一沟槽；基于所述第一沟槽，腐蚀所述制备有掩膜层的硅衬底中的硅衬底，形成第二沟槽并露出硅的111面；清洗以去除第二沟槽内的氧化物，制备获得用于III‑V族半导体外延生长的图案化硅衬底。本发明的方法制备的图案化硅衬底，可用于进行外延生长单晶的III‑V族半导体薄膜，能够有效地抑制III‑V族半导体Si界面的位错，III‑V族半导体薄膜的结晶情况较好，整体质量得到了极大的改善。

本发明授权用于三五族半导体外延生长的图案化硅衬底的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种用于三五族半导体外延生长的图案化硅衬底的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 在预获取的硅衬底上制备掩膜层，获得制备有掩膜层的硅衬底；其中，所述预获取的硅衬底的面外取向为001并向硅的110方向斜切3°～10°； 基于预设图案刻蚀所述制备有掩膜层的硅衬底中的掩膜层，形成第一沟槽；其中，刻蚀的深度与所述掩膜层的厚度相同；所述预设图案包括条带状、网格状和圆孔状图案中的一种或多种； 基于所述第一沟槽，腐蚀所述制备有掩膜层的硅衬底中的硅衬底，形成第二沟槽并露出硅的111面；其中，所述第二沟槽为倒金字塔型； 清洗以去除第二沟槽内的氧化物，制备获得用于三五族半导体外延生长的图案化硅衬底； 其中，所述条带状图案的方向与110方向有15°的夹角，条带状沟槽的宽度为0.5μm～2μm，不同沟槽之间相互平行且间距2μm～3μm；所述网格状图案为两个方向的互相交错的条带状沟槽，其中一个方向的条带状沟槽与110方向的夹角为15°，另一个方向的条带状沟槽与110方向的夹角为105°～120°，沟槽的宽度为0.5μm～2μm，沟槽之间的距离为2μm～3μm；所述圆孔状图案为连续排成列的圆孔，成列的圆孔之间相互平行；成列的圆孔与110方向的夹角为15°，圆孔的直径为0.5μm～1μm，圆孔的距离为1μm～2μm。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人西安交通大学，其通讯地址为：710049 陕西省西安市咸宁西路28号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。