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龙图腾网获悉上海市计量测试技术研究院申请的专利一种亚表面多参数纳米标准样板及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115372368B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211002888.3，技术领域涉及：G01N21/93；该发明授权一种亚表面多参数纳米标准样板及其制备方法是由吴俊杰;魏佳斯;蔡潇雨;李源;孙恺欣;周勇设计研发完成，并于2022-08-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种亚表面多参数纳米标准样板及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种亚表面多参数纳米标准样板及其制备方法，包括用于定位寻找校准位置的X向循迹标记、Y向循迹标记和对准标记，用于校准的Z向台阶校准区域、一维栅格校准区域和二维栅格校准区域，使用本发明的一种亚表面多参数纳米标准样板进行仪器校准时，可借助循迹标记和对准标记快速分辨当前位置并定位到待测区域，可用于共聚焦显微镜、白光干涉显微镜、超声原子力显微镜等亚表面测量仪器的校准及溯源，为亚表面几何参数测量中的量值准确性提供保障，助力半导体、精密制造、国防军工等战略性新兴产业的发展，具有高度产业利用价值。

本发明授权一种亚表面多参数纳米标准样板及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种亚表面多参数纳米标准样板，其特征是，包括基底板，基底板的中间部位设有Z向台阶校准区域，Z向台阶校准区域包括多个沿X方向排列成一行的条形校准台阶，各条形校准台阶沿Y方向延伸； 基底板上还设有X向循迹标记和Y向循迹标记，所述X向循迹标记沿X方向指向Z向台阶校准区域的中心，所述Y向循迹标记沿Y方向指向Z向台阶校准区域的中心；所述Z向台阶校准区域还设有对准标记，所述对准标记沿X方向指向Z向台阶校准区域的中心； 基底板上还设有一维栅格校准区域和二维栅格校准区域，所述一维栅格校准区域中设有多个沿X方向排列成一行的条形栅格；所述二维栅格校准区域中设有沿X方向排列成行、沿Y方向排列成列的栅格阵列； 所述亚表面多参数纳米标准样板采用如下步骤制成： 1对硅材料基底板的正面进行氧化处理，生成一层二氧化硅层； 2在二氧化硅层上沉积一层氮化硅层； 3在氮化硅层旋涂一层光刻胶层； 4采用光刻机对光刻胶层进行光刻，刻蚀出循迹标记、台阶、栅格图案； 5刻蚀并剥离氮化硅层和二氧化硅层，形成循迹标记、台阶、栅格纳米结构； 6去除光刻胶，在完成刻蚀的基底板正面蒸镀一层金膜层； 7在金膜层表面蒸镀二氧化硅层，蒸镀二氧化硅层的厚度为几微米至几十微米，用于覆盖硅材料基底板上的纳米结构以形成亚表面，并对蒸镀的二氧化硅层表面进行化学机械抛光，得到光滑平整的表面，完成样板制备。

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