华为技术有限公司景蔚亮获国家专利权
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龙图腾网获悉华为技术有限公司申请的专利存储器及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115443534B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080100140.X，技术领域涉及：H10B51/20；该发明授权存储器及其制造方法是由景蔚亮;王正波;崔靖杰设计研发完成，并于2020-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请的实施例提供一种存储器及其制造方法，涉及存储领域，该方案提供的存储器可以直接通过环绕栅极纳米线制造技术制造。该存储器，包括：堆叠层，堆叠层包括交叠设置的第一导电层和第二导电层，以及设置在相邻的第一导电层和第二导电层之间的隔离层；堆叠层包括贯穿堆叠层的垂直通道，垂直通道的内侧侧壁上形成有半导体薄膜；第一导电层包括导电材料，第一导电层的导电材料与半导体薄膜之间形成有电荷捕获膜层，半导体薄膜在与电荷捕获膜层相对的位置上形成有贯穿半导体薄膜的沟道，第二导电层包含导电材料，半导体薄膜与第二导电层的导电材料接触的位置形成有电极结构，电极结构包括源极或漏极。
本发明授权存储器及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器，其特征在于，包括： 堆叠层，所述堆叠层包括交叠设置的第一导电层和第二导电层，以及，设置在相邻的所述第一导电层和第二导电层之间的隔离层； 所述堆叠层包括贯穿所述堆叠层的垂直通道，所述垂直通道的内侧侧壁上形成有半导体薄膜； 所述第一导电层包括导电材料，所述第一导电层的导电材料与所述半导体薄膜之间形成有电荷捕获膜层，所述半导体薄膜在与所述电荷捕获膜层相对的位置上形成有贯穿所述半导体薄膜的沟道，所述第二导电层包含导电材料，所述半导体薄膜与所述第二导电层的导电材料接触的位置形成有电极结构，其中，所述存储器的存储单元中所述沟道的长度与所述第一导电层的厚度一致； 所述存储器采用环绕栅极纳米线制造技术制造。
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