苏州凌存科技有限公司吴迪获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州凌存科技有限公司申请的专利磁性多层膜结构及磁性器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115472736B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210785203.0，技术领域涉及：H10N50/10；该发明授权磁性多层膜结构及磁性器件是由吴迪设计研发完成，并于2022-07-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本磁性多层膜结构及磁性器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种磁性多层膜结构，包括：形成在缓冲层或种子层上的第一多层结构；所述第一多层结构包括顺序布置的：参考层、非磁性中间层、自由层和耦合层；其中，耦合层和自由层通过界面的反铁磁或铁磁耦合，耦合层和自由层的磁矩方向反平行或平行排列，非磁性中间层用于隔离或绝缘。本发明利用耦合层和自由层通过界面的反铁磁或铁磁耦合，或耦合层和参考层通过界面的反铁磁或铁磁耦合，界面的耦合作用提供了较强的垂直磁各向异性，可以在保证垂直磁各向异性的条件下进一步提高自由层或参考层厚度，从而提高TMR值，降低阻尼因子。当耦合层和自由层为反铁磁耦合时，使磁矩方向形成反平行排列，从而降低总体的饱和磁化强度，进而降低外磁场的干扰。
本发明授权磁性多层膜结构及磁性器件在权利要求书中公布了：1.一种磁性多层膜结构，其特征在于，包括： 形成在缓冲层或种子层上的第一多层结构； 所述第一多层结构包括顺序或倒序布置的：参考层、非磁性中间层、自由层1和耦合层和自由层2； 其中，耦合层与自由层1和自由层2均通过界面的反铁磁耦合作用或均通过界面的铁磁耦合作用，耦合层与自由层1和自由层2的磁矩方向均反平行或均平行排列，非磁性中间层用于隔离或绝缘。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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