新纳传感系统有限公司李大来获国家专利权
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龙图腾网获悉新纳传感系统有限公司申请的专利磁电阻角度传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115479537B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211236834.3，技术领域涉及：G01B7/30；该发明授权磁电阻角度传感器是由李大来;王鑫设计研发完成，并于2022-10-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本磁电阻角度传感器在说明书摘要公布了：本发明提供一种磁电阻角度传感器，其包括：第一磁电阻传感器，其包括被互连以建立第一惠斯通电桥的第一磁电阻传感器单元、第二磁电阻传感器单元、第三磁电阻传感器单元和第四磁电阻传感器单元；第二磁电阻传感器，其包括被互连以建立第二惠斯通电桥的第五磁电阻传感器单元、第六磁电阻传感器单元、第七磁电阻传感器单元和第八磁电阻传感器单元；其中，每个所述磁电阻传感器单元均包括若干个光刻成圆形的磁性薄膜和若干个金属薄膜，所述若干个光刻成圆形的磁性薄膜通过所述若干个金属薄膜实现电气互连。与现有技术相比，本发明可以消除形状各向异性场和磁晶各向异性场，从而显著降低角度的探测误差，提高角度的探测精度。
本发明授权磁电阻角度传感器在权利要求书中公布了：1.一种磁电阻角度传感器，其特征在于，其包括： 第一磁电阻传感器，其包括被互连以建立第一惠斯通电桥的第一磁电阻传感器单元、第二磁电阻传感器单元、第三磁电阻传感器单元和第四磁电阻传感器单元； 第二磁电阻传感器，其包括被互连以建立第二惠斯通电桥的第五磁电阻传感器单元、第六磁电阻传感器单元、第七磁电阻传感器单元和第八磁电阻传感器单元； 其中，每个所述磁电阻传感器单元均包括若干个光刻成圆形的磁性薄膜和若干个金属薄膜，所述若干个光刻成圆形的磁性薄膜通过所述若干个金属薄膜实现电气互连， 所述磁性薄膜在生长过程中施加面内旋转磁场， 在每个所述磁电阻传感器单元中，所述若干个光刻成圆形的磁性薄膜和所述若干个金属薄膜间隔排列；每个所述金属薄膜与其相邻的所述光刻成圆形的磁性薄膜电气互连， 所述旋转磁场的磁场强度介于20到200高斯之间。
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