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龙图腾网获悉信越半导体株式会社申请的专利基板晶圆的制造方法及基板晶圆获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115668458B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180035510.0，技术领域涉及：H10P52/00；该发明授权基板晶圆的制造方法及基板晶圆是由多贺稜;田中佑宜设计研发完成，并于2021-03-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本基板晶圆的制造方法及基板晶圆在说明书摘要公布了：本发明是一种基板晶圆的制造方法，包含如下步骤：准备具有第一主面及第二主面的晶圆；在第二主面上形成平坦化树脂层；将平坦化树脂层作为基准面而吸附保持，在该状态下，作为第一加工，对第一主面进行研削或研磨；从晶圆去除平坦化树脂层；将经第一加工的第一主面吸附保持，在该状态下，作为第二加工，对第二主面进行研削或研磨；将经第二加工的第二主面吸附保持，在该状态下，作为第三加工，对第一主面进一步进行研削或研磨；以及将经第三加工的第一主面吸附保持，在该状态下，作为第四加工，对第二主面进一步进行研削或研磨，获得基板晶圆；在第一加工和或第三加工中，以使晶圆具有中凹状或中凸状的厚度分布的方式进行加工。由此，能够提供一种可制造具有翘曲且纳米形貌良好的基板晶圆的基板晶圆的制造方法。

本发明授权基板晶圆的制造方法及基板晶圆在权利要求书中公布了：1.一种基板晶圆的制造方法，其特征在于，包含如下步骤： 准备具有第一主面、及与所述第一主面为相反侧的第二主面的晶圆； 在所述晶圆的所述第二主面上形成平坦化树脂层； 将所述平坦化树脂层作为基准面而吸附保持，在该状态下，作为第一加工，对所述晶圆的所述第一主面进行研削或研磨； 从所述晶圆去除所述平坦化树脂层； 将所述晶圆的所述经第一加工的所述第一主面吸附保持，在该状态下，作为第二加工，对所述晶圆的所述第二主面进行研削或研磨； 将所述晶圆的所述经第二加工的所述第二主面吸附保持，在该状态下，作为第三加工，对所述晶圆的所述第一主面进一步进行研削或研磨；以及 将所述晶圆的所述经第三加工的所述第一主面吸附保持，在该状态下，作为第四加工，对所述晶圆的所述第二主面进一步进行研削或研磨，获得基板晶圆； 在所述第一加工和或所述第三加工中，以使所述晶圆具有中凹状或中凸状的厚度分布的方式进行加工。

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