福建兆元光电有限公司黄章挺获国家专利权
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龙图腾网获悉福建兆元光电有限公司申请的专利一种提高倒装LED芯片亮度的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115692559B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211135786.9，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权一种提高倒装LED芯片亮度的方法是由黄章挺;郑高林设计研发完成，并于2022-09-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种提高倒装LED芯片亮度的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及LED领域，具体涉及一种提高倒装LED芯片亮度的方法，包括如下步骤：步骤2：将第一二氧化硅层分为保留部和腐蚀部；将光刻胶覆盖在保留部；所得蓝宝石衬底、外延层、第一二氧化硅层和光刻胶的结构为Wafer2；步骤3：使用BOE腐蚀Wafer2，得到Wafer3；在Wafer3表面溅射银镜反射层；步骤5：剥离光刻胶。本发明的有益效果在于：腐蚀第一二氧化硅层的同时形成了银镜反射层的光刻形貌，在上述光刻形貌上溅射银镜放射层能使后续被保留的银镜反射层边沿贴附保留部。并且减少了光刻银镜反射层的步骤。
本发明授权一种提高倒装LED芯片亮度的方法在权利要求书中公布了：1.一种提高倒装LED芯片亮度的方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤1：在蓝宝石衬底1上沉积外延层，所述外延层为层叠的N型半导体层、量子阱层和P型半导体层，所得蓝宝石衬底和外延层的结构为Wafer1，将第一二氧化硅层覆盖于Wafer1表面； 步骤2：将第一二氧化硅层分为保留部和腐蚀部；将光刻胶覆盖在保留部；所得蓝宝石衬底、外延层、第一二氧化硅层和光刻胶的结构为Wafer2； 步骤3：使用BOE腐蚀Wafer2，得到Wafer3； 步骤4：在Wafer3表面溅射银镜反射层； 步骤5：剥离光刻胶； 步骤1的“在蓝宝石衬底1上沉积外延层，所述外延层为层叠的N型半导体层、量子阱层和P型半导体层，所得蓝宝石衬底和外延层的结构为Wafer1”具体为： 在蓝宝石衬底上采用金属有机化学气象沉积法依次沉积N型半导体层、量子阱层和P型半导体层，所得蓝宝石衬底和外延层的结构为Wafer1。
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