铠侠股份有限公司坂庭学获国家专利权
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龙图腾网获悉铠侠股份有限公司申请的专利半导体存储装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115713957B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210121555.6，技术领域涉及：G11C16/14；该发明授权半导体存储装置是由坂庭学;椎野泰洋;西川浩太;石山佑;铃木慎二设计研发完成，并于2022-02-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储装置在说明书摘要公布了：本发明的半导体存储装置具备：衬底；多个栅极电极；半导体层，与栅极电极对向；电荷蓄积层，设置在栅极电极与半导体层之间；导电层，连接于半导体层的一端部；以及控制电路，与栅极电极及导电层电连接。多个栅极电极包含：第1栅极电极；第2栅极电极，比第1栅极电极离导电层远；以及虚拟栅极电极，设置在第1栅极与第2栅极电极之间。控制电路构成为能够执行抹除动作。抹除动作包含：针对导电层的第1抹除电压供给动作；针对虚拟栅极电极的第1编程动作，在第1抹除电压供给动作之后执行；以及第2抹除电压供给动作，在第1编程动作之后执行，对导电层供给与第1抹除电压相同或大于第1抹除电压的第2抹除电压。
本发明授权半导体存储装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储装置，其特征在于具备： 衬底； 多个栅极电极，排列在与所述衬底的表面交叉的第1方向； 半导体层，在所述第1方向延伸，与所述多个栅极电极对向； 电荷蓄积层，设置在所述多个栅极电极与所述半导体层之间； 导电层，连接于所述半导体层的所述第1方向的一端部；以及 控制电路，与所述多个栅极电极及所述导电层电连接； 所述多个栅极电极包含： 多个第1栅极电极； 多个第2栅极电极，比所述多个第1栅极电极远离所述导电层；以及 第3栅极电极，设置在所述多个第1栅极电极与所述多个第2栅极电极之间；且 所述控制电路构成为能够执行抹除动作； 所述抹除动作包含： 至少一次第1动作，对所述导电层供给第1电压； 第2动作，在至少一次所述第1动作之后执行，对所述第3栅极电极供给第2电压；以及 至少一次第3动作，在所述第2动作之后执行，对所述导电层供给与所述第1电压相同或大于所述第1电压的第3电压；其中 所述第3栅极电极为虚拟电极。
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