安洁无线科技(苏州)有限公司胡蔡飞获国家专利权
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龙图腾网获悉安洁无线科技(苏州)有限公司申请的专利避免无线充电系统发射端磁心铁氧体进入深度饱和的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115714065B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211438513.1，技术领域涉及：H01F27/34；该发明授权避免无线充电系统发射端磁心铁氧体进入深度饱和的方法是由胡蔡飞;孟浩;陈松林设计研发完成，并于2022-11-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本避免无线充电系统发射端磁心铁氧体进入深度饱和的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种避免无线充电系统发射端磁心铁氧体进入深度饱和的方法，包括：耦合机构发射端，所述耦合机构发射端包括：背板，所述背板的中间区域上设有磁心，所述磁心上设有线圈，所述磁心由多块铁氧体组成，当磁通一定时，调控增大各块铁氧体之间磁通所通过的横截面积以能够实现每一块铁氧体上的磁感应强度均小于铁氧体上饱和磁感应强度；这样不仅能够解决工艺不足所带来的铁氧体排布异常的问题出现，更能够避免铁氧体进入深度饱和的问题发生，使得整个耦合系统运行工作在良好的磁场环境下，有利于无线充电系统的性能。
本发明授权避免无线充电系统发射端磁心铁氧体进入深度饱和的方法在权利要求书中公布了：1.一种避免无线充电系统发射端磁心铁氧体进入深度饱和的方法，其特征在于，包括：耦合机构发射端，所述耦合机构发射端包括：背板，所述背板的中间区域上设有磁心，所述磁心上设有线圈，所述磁心由多块铁氧体组成；当磁通一定时，调控增大各块铁氧体之间磁通所通过的横截面积，并且使得各块铁氧体之间磁通所通过的横截面积差异趋近于0以能够实现每一块铁氧体上的磁感应强度均小于铁氧体上饱和磁感应强度； 调控增大各块铁氧体之间磁通所通过的横截面积，并且使得各块铁氧体之间磁通所通过的横截面积差异趋近于0，包括以下步骤： S1初步确定每两块相邻铁氧体之间间隔值d大小的可能范围； 包括以下步骤：建立耦合机构发射端电磁仿真，设置不同的铁氧体间隔值d，分析不同的铁氧体间隔值d下耦合机构发射端的自感、互感和耦合系数，初步确定每两块相邻铁氧体之间间隔值d大小的可能范围。
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