成都凯天电子股份有限公司胡宗达获国家专利权
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龙图腾网获悉成都凯天电子股份有限公司申请的专利一种MEMS级晶圆的低温熔融键合方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115744813B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211378725.5，技术领域涉及：B81C3/00；该发明授权一种MEMS级晶圆的低温熔融键合方法是由胡宗达;张林;张坤;赵鑫;李明兴设计研发完成，并于2022-11-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种MEMS级晶圆的低温熔融键合方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种MEMS级晶圆的低温熔融键合方法，包括以下步骤：分别在两块硅晶圆表面沉积非晶硅层，然后将两块硅晶圆的非晶硅层接触并对两块硅晶圆进行加压预键合处理，最后，在惰性气体保护条件下于200‑250℃进行退火即可。该键合方法可有效解决现有的低温熔融方法存在的键合强度不足，对操作环境要求高以及键合界面易出现孔洞的问题。
本发明授权一种MEMS级晶圆的低温熔融键合方法在权利要求书中公布了：1.一种MEMS级晶圆的低温熔融键合方法，其特征在于，包括以下步骤：分别在两块硅晶圆表面沉积非晶硅层，然后将两块硅晶圆的非晶硅层接触并对两块硅晶圆进行加压预键合处理，最后，在惰性气体保护条件下于200-250℃进行退火即可。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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