TDK株式会社渡部司也获国家专利权
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龙图腾网获悉TDK株式会社申请的专利磁传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115840167B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211142731.0，技术领域涉及：G01R33/09；该发明授权磁传感器是由渡部司也;牧野健三设计研发完成，并于2022-09-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本磁传感器在说明书摘要公布了：本发明的磁传感器具备：具有上表面的基板、具有倾斜面的绝缘层、以及配置在倾斜面之上的磁检测元件。磁检测元件具有第一侧面和第二侧面。第一侧面位于沿着倾斜面的一个方向即第一方向的前方。第二侧面位于沿着倾斜面的另一个方向即第二方向的前方。磁检测元件包含：第一变化部分，其中，沿着磁检测元件的长边方向，第一侧面的上端和第二侧面的上端的间隔变小。
本发明授权磁传感器在权利要求书中公布了：1.一种磁传感器，其特征在于， 具备： 基板，其具有基准平面； 支承构件，其配置在所述基板之上，具有相对于所述基准平面倾斜的倾斜面；以及 磁检测元件，其配置在所述倾斜面之上，且具有在一个方向上长的形状， 所述磁检测元件具有：第一侧面及第二侧面，它们位于所述磁检测元件的短边方向的两侧，且分别具有上端， 所述第一侧面位于沿着所述倾斜面的方向且远离所述基准平面的第一方向的前方， 所述第二侧面位于沿着所述倾斜面的方向且靠近所述基准平面的第二方向的前方， 所述磁检测元件包含：第一变化部分，其中，所述第一侧面的所述上端和所述第二侧面的所述上端各自的至少一部分成为直线状，且沿着所述磁检测元件的长边方向，所述第一侧面的所述上端和所述第二侧面的所述上端的间隔变小。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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