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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利器件电学性能的测试方法及其测试结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115877155B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110949979.7，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权器件电学性能的测试方法及其测试结构是由宋王琴设计研发完成，并于2021-08-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本器件电学性能的测试方法及其测试结构在说明书摘要公布了：本申请实施例涉及半导体领域，提供一种器件电学性能的测试方法及其测试结构，方法包括：提供至少两个晶体管、第一导电插塞和第二导电插塞，第一导电层与所有第一导电插塞接触，第二导电层与所有第二导电插塞接触，其中一晶体管为待测晶体管；对第一导电层和第二导电层进行图形化处理，形成第一电连接层和第二电连接层，第一电连接层仅与待测晶体管对应的所有第一导电插塞接触，第二电连接层仅与待测晶体管对应的所有第二导电插塞接触；向第一电连接层、第二电连接层和待测晶体管栅极提供可变测试信号，并获取第一电连接层和第二电连接层的输出信号；基于输出信号，检测待测晶体管电学性能。本申请实施例有利于提高测量的器件电学性能准确度。

本发明授权器件电学性能的测试方法及其测试结构在权利要求书中公布了：1.一种器件电学性能的测试方法，其特征在于，包括： 提供器件，所述器件中具有至少两个相互间隔的晶体管，所述晶体管具有源极、漏极以及栅极，所述晶体管还具有至少两个与所述源极相接触的第一导电插塞，以及至少两个与所述漏极相接触的第二导电插塞，所述器件中还具有第一导电层以及第二导电层，且所述第一导电层与至少两个所述晶体管对应的所有所述第一导电插塞接触电连接，所述第二导电层与至少两个所述晶体管对应的所有所述第二导电插塞接触电连接，其中一个所述晶体管作为待测晶体管； 对所述第一导电层进行图形化处理，形成第一电连接层，所述第一电连接层仅与所述待测晶体管对应的所有所述第一导电插塞接触电连接； 对所述第二导电层进行图形化处理，形成第二电连接层，所述第二电连接层仅与所述待测晶体管对应的所有所述第二导电插塞接触电连接； 向所述第一电连接层提供第一测试信号并获取所述第一电连接层的第一输出信号，所述第一测试信号为定值电压信号； 向所述第二电连接层提供第二测试信号并获取所述第二电连接层的第二输出信号； 向所述待测晶体管的栅极提供第三测试信号，所述第三测试信号为电压信号；基于所述第一输出信号和所述第二输出信号，检测所述待测晶体管的电学性能。

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