中国科学院上海硅酸盐研究所许崇磊获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院上海硅酸盐研究所申请的专利一种高质量MoBiVO4单晶材料的生长方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115961347B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211687435.9，技术领域涉及：C30B27/00；该发明授权一种高质量MoBiVO4单晶材料的生长方法是由许崇磊;武磊;张博;张中晗;张振;苏良碧设计研发完成，并于2022-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高质量MoBiVO4单晶材料的生长方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种高质量MoBiVO44单晶材料的生长方法。具体地，采用光学浮区生长方法制备Mo:BiVO44单晶材料。通过对生长工艺包括生长速度、氧气分压、相对转速的调控，获得高质量的Mo:BiVO44晶体，并进一步提高光电极内部的载流子传输分离效率及光电转换效率。
本发明授权一种高质量MoBiVO4单晶材料的生长方法在权利要求书中公布了：1.一种Mo:BiVO4单晶材料的生长方法，其特征在于，采用光学浮区生长方法制备Mo:BiVO4单晶材料，包括： 1将Bi2O3粉体和V2O5粉体混合，再加入MoO3粉体，然后在600～800℃下煅烧8～12小时，得到Mo:BiVO4多晶粉料；所述Bi2O3粉体和V2O5粉体的摩尔比为1：1.01～1.2； 2将所得Mo:BiVO4多晶粉料制成棒状，并在700～900℃下烧结12～24小时，得到Mo:BiVO4多晶原料棒；所述Mo:BiVO4多晶原料棒的直径为6～8mm，长度为50～80mm； 3将所得Mo:BiVO4多晶原料棒作为上料棒和下料棒，其中下料棒作为籽晶；然后在光学浮区炉中，设置上料棒的位置在上，下料棒的位置在下，使上料棒和下料棒对接，形成稳定的熔区；通入氧气气氛，通过卤素灯光源照射升温直到上料棒熔化，然后调整上料棒和下料棒的转速，待熔区稳定后开始生长单晶，最终得到Mo:BiVO4单晶材料。
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