成都环宇芯科技有限公司詹晖获国家专利权
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龙图腾网获悉成都环宇芯科技有限公司申请的专利测试半导体芯片闩锁效应放大倍数的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115980550B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310056798.0，技术领域涉及：G01R31/28；该发明授权测试半导体芯片闩锁效应放大倍数的方法是由詹晖设计研发完成，并于2023-01-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本测试半导体芯片闩锁效应放大倍数的方法在说明书摘要公布了：测试半导体芯片闩锁效应放大倍数的方法，涉及集成电路技术。本发明包括下述步骤：1对于紧邻PMOS‑NMOS结构，将NMOS管的源端和衬底接GND，PMOS管的源端和阱电位接第一外部连接点，第一外部连接点接VCC，NMOS管的漏端和PMOS管的漏端接第二外部连接点；2在第二外部连接点连接电流源；3测量第一外部连接点的输入电流变化量△IVCCVCC和第二外部连接点的输出电流变化量△Iout，计算闩锁效应放大倍数；4增加第一外部连接点的输入电流或者第二外部连接点的输出电流，返回步骤3，直到芯片烧毁，获得当前电流方向的放大倍数ß的数值曲线。本发明能够准确和全面的提供闩锁效应放大倍数数据。
本发明授权测试半导体芯片闩锁效应放大倍数的方法在权利要求书中公布了：1.测试半导体芯片闩锁效应放大倍数的方法，其特征在于，包括下述步骤： 1对于紧邻PMOS-NMOS结构，将NMOS管的源端和衬底接GND，PMOS管的源端和阱电位接第一外部连接点，第一外部连接点接VCC，NMOS管的漏端和PMOS管的漏端接第二外部连接点；所述紧邻PMOS-NMOS结构包括PMOS管和NMOS管，所述PMOS管包括栅区以及设置于N阱内的源区和漏区；所述N阱嵌入P型掺杂区内； 2在第二外部连接点连接电流源； 3测量第一外部连接点的输入电流变化量△IVCC和第二外部连接点的输出电流变化量△Iout，通过下式计算闩锁效应放大倍数ß： ß=△IVCC△Iout 4增加第一外部连接点的输入电流或者第二外部连接点的输出电流，返回步骤3，直到芯片烧毁，获得当前电流方向的放大倍数ß的数值曲线。
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