信越化学工业株式会社渡部武纪获国家专利权
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龙图腾网获悉信越化学工业株式会社申请的专利氧化镓半导体膜的制造方法及成膜装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115997277B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180045966.5，技术领域涉及：H10P14/24；该发明授权氧化镓半导体膜的制造方法及成膜装置是由渡部武纪设计研发完成，并于2021-05-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本氧化镓半导体膜的制造方法及成膜装置在说明书摘要公布了：本发明是一种氧化镓半导体膜的制造方法，其使用雾化CVD法，包含以下工序：雾产生工序，在雾化部中雾化包含镓的原料溶液而产生雾；载气供给工序，向所述雾化部供给用于输送所述雾的载气；输送工序，经由连接所述雾化部与成膜室的供给管利用所述载气从所述雾化部向所述成膜室输送所述雾；整流工序，在所述成膜室中向基板的表面供给的所述雾及所述载气的流动被整流成沿着所述基板的表面的流动；成膜工序，对经过所述整流的雾进行热处理而在所述基板上进行成膜；以及排气工序，向所述基板的上方排出废气。由此，提供一种膜厚的面内均匀性、成膜速度优异的氧化镓半导体膜的制造方法。
本发明授权氧化镓半导体膜的制造方法及成膜装置在权利要求书中公布了：1.一种氧化镓半导体膜的制造方法，其使用雾化CVD法，其特征在于，包含以下工序： 雾产生工序，在雾化部中雾化包含镓的原料溶液而产生雾； 载气供给工序，向所述雾化部供给用于输送所述雾的载气； 输送工序，经由连接所述雾化部与成膜室的供给管利用所述载气从所述雾化部向所述成膜室输送所述雾； 整流工序，在所述成膜室中向基板的表面供给的所述雾及所述载气的流动利用中板被整流成沿着所述基板的表面的流动，其中，所述中板以与所述基板具有0.5~10mm的空隙的方式设置在所述成膜室的内部； 成膜工序，利用所述成膜室中的所述基板的下方具备的加热单元对经过所述整流的雾进行热处理而在所述基板上进行成膜；以及 排气工序，向所述基板的上方排出废气， 在成膜中变更所述载气及所述雾的所述整流工序或所述排气工序与所述基板的相对位置。
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