长江存储科技有限责任公司刘青松获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116053121B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211253791.X，技术领域涉及：H10P14/40；该发明授权半导体结构及其制备方法是由刘青松;郑亮;邵克坚;何进卿设计研发完成，并于2020-01-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体结构及其制备方法，包括如下步骤：形成结构层，包括第一区域及第二区域；结构层内形成有沟道通孔，第一区域内沟道通孔的密度大于第二区域内沟道通孔的密度；于结构层内形成栅极间隙，包括第一沟槽、第二沟槽及第三沟槽；第一沟槽位于第一区域内，第三沟槽位于第二区域内，第二沟槽位于第一区域与第二区域的交界处，第二沟槽的深度小于第一沟槽的深度及第三沟槽的深度。本发明的半导体结构中，栅极间隙位于沟道通孔密度不同的第一区域及第二区域的交界处的第二沟槽深度小于位于第一区域及第二区域的第一沟槽及第三沟槽的深度，可以避免栅极间隙向沟道通孔延伸，从而避免在对栅极间隙填充后造成漏电。
本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括： 形成叠层结构，所述叠层结构包括依次交替的牺牲层及栅间介质层，所述叠层结构包括第一区域及第二区域； 形成沿所述叠层结构的厚度方向贯穿所述叠层结构的沟道通孔，所述第一区域内的所述沟道通孔的密度大于所述第二区域内的所述沟道通孔的密度； 形成栅极间隙，所述栅极间隙包括第一沟槽、第二沟槽及第三沟槽；其中，所述第一沟槽位于所述第一区域内；所述第三沟槽位于所述第二区域内；所述第二沟槽位于所述第一沟槽和所述第三沟槽之间，一端与所述第一沟槽连接，另一端与所述第三沟槽连接，沿所述厚度方向，所述第二沟槽的深度小于所述第一沟槽的深度及所述第三沟槽的深度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长江存储科技有限责任公司，其通讯地址为：430074 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励